[发明专利]供RF下变频混频器用的共栅共源跨导级

权利要求书

1.一种无线设备接收机，包括：

匹配网络；

混频器；以及

共栅共源(CGCS)混频器输入级，其包括：

输入，其用于接收来自所述匹配网络的差分输入信号；

电流源，

共源级，其包括耦合至所述输入和所述电流源的晶体管，

共栅级，其包括耦合至所述输入和所述共源级的晶体管，以及

输出，其耦合至所述混频器；

其中所述共栅级包括一对NMOS晶体管，所述共栅级中的每个NMOS晶体管包括漏极、栅极、和源极，其中所述漏极耦合至所述共源级，所述栅极耦合至所述差分输入信号中的一个，并且所述源极耦合至所述差分输入信号中的另一个。

2.如权利要求1所述的无线设备接收机，其特征在于，所述共栅共源混频器输入级还包括耦合在所述输入与接地端子之间的多个电感器。

3.如权利要求1所述的无线设备接收机，其特征在于，所述共源级包括一对PMOS晶体管。

4.如权利要求3所述的无线设备接收机，其特征在于，所述共源级中的每个PMOS晶体管包括漏极、栅极、和源极，其中所述漏极耦合至所述共栅级，所述栅极耦合至所述差分输入信号中的一个，并且所述源极耦合至所述电流源。

5.如权利要求1所述的无线设备接收机，其特征在于，来自所述共栅共源混频器输入级的所述输出的输出电流满足下式：

其中I_t是所述输出电流，V_s是所述匹配网络的输入处的电压，R_s是匹配电阻，g_mn是所述共栅级中所述晶体管的跨导，而g_mp是所述共源级中所述晶体管的跨导。

6.一种共栅共源(CGCS)跨导级，包括：

电流源；

包括第一对晶体管的共源级，所述第一对晶体管包括：

第一晶体管，其具有源极、漏极、和栅极，其中所述源极耦合至所述电流源，并且所述栅极耦合至第一差分输入信号，以及

第二晶体管，其具有源极、漏极、和栅极，其中所述源极耦合至所述电流源，并且所述栅极耦合至第二差分输入信号和所述第一晶体管的所述栅极；

包括第二对晶体管的共栅级，所述第二晶体管对包括：

第三晶体管，其具有漏极、栅极、和源极，其中所述漏极耦合至所述第一晶体管的所述漏极，所述栅极耦合至所述第一差分输入信号，并且所述源极耦合至所述第二差分输入信号，以及

第四晶体管，其具有漏极、栅极、和源极，其中所述漏极耦合至所述第二晶体管的所述漏极，所述栅极耦合至所述第二差分输入信号和所述第三晶体管的所述栅极，并且所述源极耦合至所述第一差分输入信号；

耦合在所述第一和第三晶体管的所述漏极之间的去往混频器的第一输出；以及

耦合在所述第二和第四晶体管的所述漏极之间的去往所述混频器的第二输出。

7.如权利要求6所述的共栅共源跨导级，其特征在于，还包括：

第一电感器，其被耦合在所述第三晶体管的所述源极与接地端子之间；以及

第二电感器，其被耦合在所述第四晶体管的所述源极与所述接地端子之间。

8.如权利要求6所述的共栅共源跨导级，其特征在于，所述第一和第二晶体管包括PMOS晶体管。

9.如权利要求6所述的共栅共源跨导级，其特征在于，所述第三和第四晶体管包括NMOS晶体管。