[发明专利]光电转换元件及使用该光电转换元件的太阳能电池有效
| 申请号： | 200680046410.3 | 申请日： | 2006-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN101326676A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 千叶恭男;韩礼元;小出直城;城户政美 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01M14/00 | 分类号： | H01M14/00;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 使用 太阳能电池 | ||
1.一种光电转换元件，其包括：
由吸附了染料的多孔半导体层制成的光电转换层、载流子输送层和一对电极，其中，
所述光电转换层的所述多孔半导体层在近红外区的雾度为60％～95％，其中，所述近红外区定义为780nm～1200nm。
2.权利要求1的光电转换元件，其中，所述多孔半导体层由在近红外区雾度不同的多个层构成。
3.权利要求2的光电转换元件，其中，由所述多个层构成的所述多孔半导体层在近红外区的雾度从光的入射侧起依次增大。
4.权利要求3的光电转换元件，其中，在由所述多个层构成的所述多孔半导体层中，距光的入射侧最远的所述多孔半导体层在近红外区的雾度为60％～95％。
5.权利要求4的光电转换元件，其中，所述多孔半导体层为3层，而且，距光的入射侧最近的所述多孔半导体层在近红外区的雾度为1％以上且小于11％，距光的入射侧最远的所述多孔半导体层在近红外区的雾度为60％～95％。
6.权利要求4的光电转换元件，其中，所述多孔半导体层为4层，而且，距光的入射侧最近的所述多孔半导体层在近红外区的雾度为1％以上且小于11％，距光的入射侧最远的所述多孔半导体层在近红外区的雾度为60％～95％。
7.权利要求1～6任一项的光电转换元件，其中，所述多孔半导体层由以氧化钛为主成分的氧化物半导体构成。
8.权利要求1～6任一项的光电转换元件，其中，所述雾度是在780nm～900nm的任意波长处测定的值。
9.权利要求7的光电转换元件，其中，所述雾度是在780nm～900nm的任意波长处测定的值。
10.一种太阳能电池，其使用了权利要求1～6中任一项的光电转换元件。
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