[发明专利]用于形成光交联固化的抗蚀剂下层膜的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种形成下层膜的组合物，是用于在半导体器件制造的光刻工序中 在被覆光致抗蚀剂前通过光照射形成在光致抗蚀剂的下层使用的下层膜 的组合物，含有聚合性化合物(A)、光聚合引发剂(B)和溶剂(C)，所述聚合 性化合物(A)含有5～45质量％的硅原子，

上述含有硅原子的聚合性化合物(A)是选自式(I)、式(II)所示的有机硅 化合物、它们各自的水解物、和它们各自的缩合物中的至少1种的含有硅 原子的聚合性化合物(A1)，

(R¹)_a(R³)_bSi(R²)_4-(a-b)    (I)

式中，R¹表示乙烯基，且R¹通过Si-C键与硅原子结合，R³表示烷基、 芳基、卤化烷基、卤化芳基、或者具有巯基、氨基、或者氰基的有机基团， 且R³通过Si-C键与硅原子结合，R²表示卤原子、或者碳原子数分别为1～ 8的烷氧基、烷氧基烷基或者烷氧基酰基，a为整数1，b为整数0、1或 者2，a+b为整数1、2或者3，

〔(R⁴)_cSi(R⁵)_3-c〕₂Y       (II)

式中，R⁴表示环氧基、乙烯基或者含有它们的聚合性有机基团，且 R⁴通过Si-C键与硅原子结合，R⁵表示烷基、芳基、卤化烷基、卤化芳基、 或者具有巯基、氨基、或者氰基的有机基团，且R⁵通过Si-C键与硅原子 结合，Y表示氧原子、亚甲基或者碳原子数为2～20的亚烷基，c为整数1 或者2。

2.如权利要求1所述的形成下层膜的组合物，上述聚合性化合物(A) 是具有至少一个能够进行阳离子聚合的反应性基团的聚合性化合物，上述 光聚合引发剂(B)是光阳离子聚合引发剂。

3.如权利要求2所述的形成下层膜的组合物，上述能够进行阳离子聚 合的反应性基团为环氧基。

4.如权利要求1所述的形成下层膜的组合物，上述聚合性化合物(A) 是具有至少一个能够进行自由基聚合的烯属不饱和键的聚合性化合物，上 述光聚合引发剂(B)是光自由基聚合引发剂。

5.如权利要求4所述的形成下层膜的组合物，上述烯属不饱和键为乙 烯基。