[发明专利]太阳电池组件用填充材料及使用其的太阳电池组件以及太阳电池组件用填充材料的制造方法无效

专利信息
申请号: 200680044358.8 申请日: 2006-11-28
公开(公告)号: CN101317275A 公开(公告)日: 2008-12-03
发明(设计)人: 大井香澄;续木淳朗;林克彦;冈本重之;吉岭幸弘;丸山英治 申请(专利权)人: 大日本印刷株式会社;三洋电机株式会社
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;C08J3/22
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 太阳电池 组件 填充 材料 使用 以及 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种即使在伴随例如热点现象等而发生温度变化的情况下也难以发生白浊的太阳电池组件用填充材料。 

背景技术

近年来,由于对环境问题的认识的提高,作为绿色能源的太阳电池备受瞩目。 

太阳电池元件多用单晶硅基板或多结晶硅基板制作。所以,太阳电池元件对物理冲击薄弱,另外,在户外安装太阳电池的情况下,由于下雨等而必需对其进行保护。另外,由于用1张太阳电池元件产生的输出电力小,所以必需串并联接续多个太阳电池元件,从而取出实用的输出电力。所以,通常接续多个太阳电池元件,用透明基板及填充材料封入,来制作太阳电池组件。太阳电池组件通常利用依次层叠透明前面基板、填充材料、太阳电池元件、填充材料以及背面保护片等,对它们抽真空并加热压粘的层叠法等来制造。 

作为在太阳电池组件中试验的填充材料,从其可加工性、施工性、制造成本、其他等观点出发,最普遍使用的是乙烯-醋酸乙烯酯共聚物树脂(EVA)。但是,由乙烯-醋酸乙烯酯共聚物树脂构成的填充材料与太阳电池元件的粘接强度未必充分,会存在长时间使用时发生剥离,或加热时产生乙酸乙烯酯气体而成为异味的原因或者发泡等问题。因此,作为向填充材料付与粘接性从而不产生乙酸乙烯酯气体的方法,提出了使硅烷化合物与树脂聚合的方法(例如参照专利文献1、专利文献2)。 

在户外设置的太阳电池组件的放电中的太阳电池组件的多个太阳电池元件中,在某1个太阳电池元件成为哪一个的影子而变成发电不充分的情况下,该太阳电池元件成为电阻。此时,在该太阳电池元件的两电极中 产生其电阻值与流动的电流的积的电势差。即,在太阳电池元件中施加反方向的偏压,该太阳电池元件发热。这样的现象被称为热点。 

接着,如果发生热点现象而太阳电池元件的温度上升,则填充材料的温度也随之上升。作为填充材料,使用聚乙烯系树脂的情况下,在出现超过填充材料的熔点的温度变化的情况下,聚乙烯系树脂一旦融解,则在再次固化时,其一部分结晶化,白浊,显著地破坏外观。 

作为抑制发生热点现象时的太阳电池组件的温度上升的方法,例如提出了在太阳电池组件的背面侧设置表面为凹凸状的热反射率高的薄膜或在配设于太阳电池组件的周围的组件框中设置通风口(例如参照专利文献3)。另外,还提出了通过在背面侧填充材料中含有氧化铝或氧化锆等加大导热系数的粒子,即使发生了热点现象,也可以提高太阳电池组件内部的导热系数,从而抑制太阳电池元件的温度上升的方法(例如参照专利文献4)。如果能够抑制太阳电池组件或太阳电池元件的温度上升,结果填充材料的温度上升也被抑制,所以抑制填充材料的白浊是可能的。但是,在任意专利文献中,均没有对防止随着发生热点现象而产生的填充材料的白浊进行陈述。 

另外,作为以往的填充材料,如上所述,乙烯-醋酸乙烯酯共聚物树脂成为中心,目前尚未提出在树脂中使用使硅烷化合物聚合而成的共聚物树脂的填充材料的白浊防止。 

专利文献1:日本专利特公昭62-14111号公报 

专利文献2:日本专利特开2004-214641号公报 

专利文献3:日本专利特开平6-181333号公报 

专利文献4:日本专利特开2004-327630号公报 

发明内容

本发明正是鉴于所述实际情况而提出的,其主要目的在于提供一种能够在发生热点现象时抑制填充材料的白浊的太阳电池组件用填充材料。 

为了实现所述目的,本发明提供一种太阳电池组件用填充材料,其特征在于,具有:内含使乙烯性不饱和硅烷化合物及聚合用聚乙烯聚合而成的硅烷改性树脂的填充材料用树脂,和含有紫外线吸收剂、光稳定化剂、 热稳定化剂、及母体胶料用聚乙烯的母体胶料,所述聚合用聚乙烯以及所述母体胶料用聚乙烯为具有0.895~0.910g/cm3的范围内的密度的茂金属系直链状低密度聚乙烯。 

如果利用本发明,聚合用聚乙烯及母体胶料用聚乙烯的密度较低,所以即使在由于热点现象等而发生温度变化的情况下,由于妨碍聚乙烯的结晶化而抑制填充材料的白浊成为可能。 

另外,在所述发明中,在使所述太阳电池组件用填充材料成为厚600±15μm的片材状时,优选在波长为6000nm以上且25000nm以下范围内的峰面积为12000以下。 

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