[发明专利]制造微机电元件的方法以及该微机电元件

权利要求书

1.一种制造微机电元件的方法，在所述方法中，微机电芯片部件(46、 60)由覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封，所述覆盖部件(24、28、 33、41、47、48)包含用于穿过所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48) 提供电连接的引入结构，其特征在于，

-在由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯 片部件(46、60)的顶上，附着一个或逐层附着多个电子电路部件(63、78、 83)，

-在每个所述电子电路部件(63、78、83)的顶上制造覆盖所述电子电 路部件的介电层(65、79、84)，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层(65、 79、84)中制造引入部(66、67、80、81、85、86)，所述引入部延伸至所 述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)以及所述电子电 路部件(63、78、83)，

-在最顶层的所述电子电路部件(63、83)的表面上制造用于所述微机 电元件的外部连接的结合部件(73-77、92-96)，

其中，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上制造第一 介电层(62)，在将所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)附着于所述 微机电芯片部件(46、60)之前或之后，在所述覆盖部件(24、28、33、41、 47、48)的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层(62)之 间制造包括所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)的 重分布层。

2.根据权利要求1所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述 覆盖部件(24)主要由玻璃制成，从而，在所述覆盖部件(24)中延伸的提 供电连接的引入结构(25-27)由硅制成。

3.根据权利要求1所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述 覆盖部件(28)主要由硅制成，并且在所述覆盖部件(28)中制造玻璃绝缘 体(32)，从而，在所述覆盖部件(28)中，穿过所述玻璃绝缘体(32)延 伸的提供电连接的引入结构(29-31)由硅制成。

4.根据权利要求1所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述 覆盖部件(33)主要由硅制成，并且在所述覆盖部件(33)中制造玻璃绝缘 体(37-40)，从而，所述覆盖部件(33)被分为带状的提供电连接的引入结 构(34-36)。

5.根据权利要求1所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述 覆盖部件(41)主要由硅制成，并且在所述覆盖部件(41)中制造玻璃绝缘 体(45)，从而，所述覆盖部件(41)被分为孤立的提供电连接的引入结构 (42-44)。

6.根据前述权利要求2-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其 特征在于，如权利要求2所述的覆盖部件(24)或者如权利要求3-5中任一 项所述的玻璃绝缘体(32、37-40、45)由其它一些已知的介电材料替代玻 璃制成。

7.根据前述权利要求2-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其 特征在于，如权利要求3-5中任一项所述的覆盖部件(28、33、41)或者如 权利要求2所述的提供电连接的引入结构(25-27)由其它一些已知的导电 材料替代硅制成。

8.根据前述权利要求1-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其 特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入 结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过直接结合实 现。

9.根据前述权利要求6所述的制造微机电元件的方法，其特征在于， 所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述 微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过直接结合实现。