[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号: | 200680043768.0 | 申请日: | 2006-07-04 |
| 公开(公告)号: | CN101313411A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
| 发明(设计)人: | 青木诚志;米泽谕 | 申请(专利权)人: | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
基板;
分割在上述基板上形成的导电层而形成的多个下部电极;
形成在上述多个下部电极上且被分割为多个的由CIGS构成的黄铜矿型光吸收层;
形成在上述光吸收层上的作为透明导电层的多个上部电极;以及
为了串联连接由上述下部电极、上述光吸收层和上述上部电极构成的单位电池单元而对上述光吸收层的一部分进行重整以使其导电性高于光吸收层而形成的接触电极部,
上述接触电极部的Cu/In比例高于光吸收层的Cu/In比例,且上述接触电极部的Cu/In比例大于1。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于:
上述接触电极部为含有钼的合金。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其特征在于:
在上述光吸收层和上述上部电极之间形成有缓冲层。
4.一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:
在基板上形成成为下部电极的导电层的导电层形成步骤;
将上述导电层分割为多个下部电极的第一划线步骤;
在上述下部电极上形成由CIGS构成的黄铜矿型光吸收层的光吸收层形成步骤;
对上述光吸收层的一部分照射激光来进行重整以使该一部分的Cu/In比例大于1来增高导电率的接触电极部形成步骤;
在上述光吸收层和上述接触电极部之上形成成为上部电极的透明导电层的透明导电层形成步骤;以及
将上述透明导电层分割为多个上部电极的第二划线步骤。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于:
在上述光吸收层形成步骤之后设置缓冲层形成步骤,上述接触电极部形成步骤从缓冲层之上照射激光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





