[发明专利]六氢－环庚三烯并吡唑大麻素调节剂

权利要求书

1.具有式(I)结构的化合物或其盐、异构体、前药、代谢物或多晶 型物：

其中

式(I)中2-3位之间和3a-8a位之间的虚线代表当X₁R₁存在时两个 双键各自的位置；

式(I)中3-3a位之间和8a-1位之间的虚线代表当X₂R₂存在时两个 双键各自的位置；

式(I)中8位和X₄R₄之间的虚线代表双键的位置；

X₁不存在，或者为低级亚烷基；

X₂不存在，或者为低级亚烷基；

其中X₁R₁和X₂R₂仅存在一个；

X₃不存在，或者为低级烷撑基、低级烷叉基或-NH-；

当8位和X₄R₄之间的虚线不存在时，则X₄不存在，或者为低级 亚烷基；

当8位和X₄R₄之间的虚线存在时，则X₄不存在；

X₅不存在，或者为低级亚烷基；

R₁选自氢、烷基(在一个或多个位置任选被卤素、羟基或低级烷 氧基取代)、低级烷基-磺酰基、芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，其中 芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基各自在一个或多个位置任选被以下基团 取代：卤素、氨基磺酰基、低级烷基-氨基磺酰基、烷基(在一个或多 个位置任选被卤素、羟基或低级烷氧基取代)、羟基或低级烷氧基(在 一个或多个位置任选被卤素或羟基取代)；

R₂选自氢、烷基(在一个或多个位置任选被卤素、羟基或低级烷 氧基取代)、低级烷基-磺酰基、芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，其中 芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基各自在一个或多个位置任选被以下基团 取代：卤素、氨基磺酰基、低级烷基-氨基磺酰基、烷基(在一个或多 个位置任选被卤素、羟基或低级烷氧基取代)、羟基或低级烷氧基(在 一个或多个位置任选被卤素或羟基取代)；

R₃为-C(O)-Z₁(R₆)、-SO₂-NR₇-Z₂(R₈)或-C(O)-NR₉-Z₃(R₁₀)；

当8位和X₄R₄之间的虚线不存在时，则X₄不存在，或为低级亚 烷基且R₄为羟基、低级烷基、低级烷氧基、卤素、芳基、C₃-C₁₂环烷 基或杂环基，其中芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基各自在一个或多个位 置任选被以下基团取代：羟基、氧代基、低级烷基(在一个或多个位 置任选被卤素、羟基或低级烷氧基取代)、低级烷氧基(在一个或多个 位置任选被卤素或羟基取代)或卤素；

当8位和X₄R₄之间的虚线存在时，则X₄不存在且R₄为CH-芳 基或CH-杂环基，其中芳基或杂环基各自在一个或多个位置任选被以 下基团取代：羟基、氧代基、低级烷基(在一个或多个位置任选被卤 素、羟基或低级烷氧基取代)、低级烷氧基(在一个或多个位置任选被 卤素或羟基取代)或卤素；

R₅为氢、羟基、氧代基、卤素、氨基、低级烷基-氨基、烷基(在 一个或多个位置任选被卤素、羟基或低级烷氧基取代)、低级烷氧基(在 一个或多个位置任选被卤素或羟基取代)、羧基、羰基烷氧基、氨基 甲酰基、氨基甲酰基烷基、芳基、芳氧基、芳基烷氧基或杂环基；

R₆为芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，所述基团各自任选被一个或 多个以下基团取代：羟基、氧代基、卤素、氨基、低级烷基-氨基、 烷基(在一个或多个位置任选被卤素、羟基或低级烷氧基取代)、低级 烷氧基(在一个或多个位置任选被卤素或羟基取代)、羧基、羰基烷氧 基、氨基甲酰基、氨基甲酰基烷基、芳基、芳氧基、芳基烷氧基或杂 环基；

R₇为氢或低级烷基；

R₈为氢、芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，其中芳基、C₃-C₁₂环烷 基或杂环基各自任选被一个或多个以下基团取代：羟基、氧代基、卤 素、氨基、低级烷基-氨基、烷基(在一个或多个位置任选被卤素、羟 基或低级烷氧基取代)、低级烷氧基(在一个或多个位置任选被卤素或 羟基取代)、羧基、羰基烷氧基、氨基甲酰基、氨基甲酰基烷基、芳 基、芳氧基、芳基烷氧基或杂环基；

R₉为氢或低级烷基；

R₁₀为氢、芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，其中芳基、C₃-C₁₂环烷 基或杂环基各自任选被一个或多个以下基团取代：羟基、氧代基、卤 素、氨基、低级烷基-氨基、烷基(在一个或多个位置任选被卤素、羟 基或低级烷氧基取代)、低级烷氧基(在一个或多个位置任选被卤素或 羟基取代)、羧基、羰基烷氧基、氨基甲酰基、氨基甲酰基烷基、氨 基磺酰基、低级烷基-氨基磺酰基、芳基、芳氧基、芳基烷氧基或杂 环基；

Z₁和Z₂各自不存在，或为烷基；且

Z₃不存在，或为-NH-、-SO₂-或烷基(其中烷基在一个或多个位置 任选被以下基团取代：卤素、羟基、低级烷基、低级烷氧基、羧基或 羰基烷氧基)。