[发明专利]湿度传感器无效

专利信息
申请号: 200680042536.3 申请日: 2006-10-24
公开(公告)号: CN101310175A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 罗马诺·霍夫曼;朱利恩·M·M·米舍隆 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;G01N27/22
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 陈源;张天舒
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 湿度 传感器
【权利要求书】:

1.一种湿度传感器,其包括:

第一和第二导电电极(40,42),其中每个电极都具有至少一个组件(48),所述第一和第二导电电极(40,42)的组件(48)彼此平行地延伸,总平行长度至少为0.3mm,并且所述组件间距不超过1μm;以及

多孔电介质(20),其具有大于10%的孔隙度,所述多孔电介质用于将所述第一和第二电极(40,42)分开。

2.如权利要求1所述的湿度传感器,其中所述第一和第二导电电极是交叉指型梳状物,所述梳状物的齿(48)就是总平行长度延伸至少为0.3mm的组件,所述第一和第二导电电极的齿彼此间的间距不超过1μm。

3.如权利要求1或2所述的湿度传感器,其中所述第一和第二导电电极(40,42是具有介电常数小于3.0的低介电常数电介质(20)原硅酸盐玻璃。

4.如上述任一权利要求所述的湿度传感器,进一步包括围绕所述导电电极延伸的阻挡层(28,32),用于保护导电电极不被腐蚀。

5.如权利要求4所述的湿度传感器,其中所述阻挡层(28,32)包括处于所述导电电极(40,42)侧部和底部的第一阻挡材料(28),以及处于所述导电电极(40,42)顶部的第二阻挡材料(32),并且所述第一阻挡材料和所述第二阻挡材料是不同的。

6.如权利要求5所述的湿度传感器,其中所述第二阻挡材料(32)是可以选择性地沉积在所述导电电极材料上的阻挡材料。

7.如权利要求5所述的湿度传感器,其中所述第二阻挡材料(32)是电介质阻挡物。

8.如权利要求5、6或7所述的湿度传感器,其中所述第一阻挡材料(28)是金属。

9.一种关于根据任意上述权利要求所述的湿度传感器的用法,所述用法包括:在所述第一和第二电极之间施加0.5至1MV/cm的电场,并且

测量通过所述第一和第二电极(40,42)之间的电流,并且将其作为含水量的测量结果。

10.一种制造湿度传感器的方法,所述方法包括:

沉积具有至少10%孔隙度的多孔电介质(20);

刻蚀透所述多孔电介质,从而形成第一和第二沟槽(26),其中每个沟槽都具有至少一个组件,所述第一和第二沟槽(26)的所述组件彼此平行地延伸,总平行长度至少为0.3mm,并且所述组件间距不超过1μm;以及

利用导体填充所述沟槽(26),以便形成第一和第二导电电极(40,42),所述电极具有总平行长度延伸至少为0.3mm并且间距小于1μm的组件。

11.如权利要求1所述的方法,其中所述第一和第二沟槽(26)以及所述第一和第二导电电极(40,42)是交叉指型梳状物,所述梳状物的齿的总平行长度延伸至少为0.3mm,并且所述梳状物的齿处于所述另一梳状物的齿之间,齿的间距小于1μm。

12.如权利要求10或11所述的方法,其中所述多孔电介质(20)是介电常数小于3.0的低介电常数电介质(20)。

13.如权利要求10至12中任一所述的方法,其中填充所述沟槽的步骤包括:

在所述沟槽(26)的侧部和底部上沉积第一阻挡材料的阻挡层(28);以及

利用导电填充材料(30)填充所述沟槽(26)。

14.如权利要求13所述的方法,进一步包括:在利用所述导电填充材料(30)填充所述沟槽(26)之后,通过选择性沉积在所述导电填充材料上沉积第二阻挡材料(32),从而形成围绕所述导电填充材料(30)的顶部、侧部和底部延伸的阻挡层(28,32)。

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