[发明专利]具有功能性的层、具有该层的柔性衬底的形成方法及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成具有功能性的层的方法，其包括以下步骤：

在衬底上形成包括硅烷偶联剂的剥离层；

在所述剥离层上形成所述具有功能性的层；以及

将所述具有功能性的层从所述衬底剥离。

2.如权利要求1所述的形成具有功能性的层的方法，其特征在于，

所述剥离层是通过涂覆来形成的。

3.一种形成具有功能性的层的方法，其包括以下步骤：

在衬底上形成其中氧与硅结合且非活性基团与硅结合的剥离层；

在所述剥离层上形成具有功能性的层；以及

在包括所述剥离层的部分或所述剥离层和所述具有功能性的层之间的边界处将所述具有功能性的层从所述衬底剥离。

4.如权利要求3所述的形成具有功能性的层的方法，其特征在于，还包括：

在剥离所述具有功能性的层后去除遗留的剥离层。

5.如权利要求1或3所述的形成具有功能性的层的方法，其特征在于，还包括：

在形成所述具有功能性的层之后将粘合剂附连到所述具有功能性的层。

6.如权利要求1或3所述的形成具有功能性的层的方法，其特征在于，所述具有功能性的层包括有色层。

7.如权利要求1或3所述的形成具有功能性的层的方法，其特征在于，所述具有功能性的层包括导电层和覆盖所述导电层的绝缘层。

8.如权利要求7所述的形成具有功能性的层的方法，其特征在于，所述导电层是天线。

9.如权利要求7所述的形成具有功能性的层的方法，其特征在于，所述导电层是像素电极。

10.一种半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：

在衬底上形成包括硅烷偶联剂的剥离层；

在所述剥离层上形成导电层；

形成覆盖所述导电层的绝缘层；

将所述导电层和所述绝缘层从所述衬底剥离；以及

电连接所述导电层和集成电路的连接端子。

11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述剥离层是通过涂覆来形成的。

12.一种半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：

在衬底上形成其中氧与硅结合且非活性基团与硅结合的剥离层；

在所述剥离层上形成导电层；

形成覆盖所述导电层的绝缘层；

在包括所述剥离层的部分或所述剥离层和所述导电层之间的边界处将所述导电层和所述绝缘层从所述衬底剥离；以及

将所述导电层和集成电路的连接端子彼此电连接。

13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：

在剥离所述导电层和所述绝缘层后去除遗留的剥离层。

14.如权利要求10或12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成所述绝缘层之后将粘合剂附连到所述绝缘层。

15.如权利要求10或12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述导电层是天线。

16.如权利要求10或12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：

将具有开口的柔性衬底附连到所述导电层和所述绝缘层。

17.如权利要求16所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述导电层在所述柔性衬底的开口中与所述集成电路的连接端子电连接。

18.一种半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：

在第一衬底上形成包括硅烷偶联剂的剥离层；

在所述剥离层上形成有色层；

形成覆盖所述有色层的绝缘层；

在所述绝缘层上形成导电层；

在所述导电层上形成定向膜；

将所述有色层、所述绝缘层、所述导电层和所述定向膜从所述第一衬底剥离；

将第二衬底附连到所述有色层、所述绝缘层和所述导电层；

在所述第二衬底上形成密封材料；

用液晶材料涂覆由所述密封材料围绕的区域；以及

利用密封材料将所述第二衬底附连到有源矩阵衬底。