[发明专利]芯片组件和制造芯片组件的方法无效
申请号: | 200680041943.2 | 申请日: | 2006-11-07 |
公开(公告)号: | CN101305464A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
发明(设计)人: | N·J·A·范维恩;R·德克;C·C·塔克 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李亚非;谭祐祥 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 组件 制造 方法 | ||
1.一种第一芯片和第二芯片的组件,所述第一芯片具有柔性并 在所述第一芯片的相对侧面上设有第一树脂层和第二树脂层,以允许 将所述第一芯片保持在压缩状态,第一侧面接触衬垫和第二侧面接触 衬垫分别处于所述第一芯片的第一侧面和第二侧面上,所述第一侧面 接触衬垫耦接到对应的所述第二芯片的接触衬垫,且所述第二侧面接 触衬垫设计用于所述组件的外部连接。
2.如权利要求1所述的组件,其特征在于:所述第一侧面接触 衬垫具有大于所述第二侧面接触衬垫的直径。
3.如权利要求1或2所述的组件,其特征在于:所述第一侧面 接触衬垫和第二侧面接触衬垫分别处于所述第一树脂层和第二树脂 层上,所述第一侧面和第二侧面的接触衬垫电气耦接到所述第一芯片 中的电气元件,且垂直互连穿过所述树脂层。
4.如权利要求1所述的组件,其特征在于:所述第一侧面接触 衬垫和所述对应的所述第二芯片的接触衬垫相互朝向彼此。
5.如权利要求1或4中的任一项所述的组件,其特征在于:所 述第二芯片侧向延伸超过所述第一芯片。
6.如权利要求5所述的组件,其特征在于:所述第二芯片具有 邻近于耦接到所述第一芯片的所述第一侧面接触衬垫的另外的接触 衬垫,这些另外的接触衬垫设计用于所述组件的外部连接。
7.如权利要求1或4中的任一项所述的组件,其特征在于:所 述第一芯片和所述第二芯片具有相同的侧向尺寸。
8.如权利要求1或2所述的组件,其特征在于:所述第一芯片 起到用于所述第二芯片的载体的作用。
9.如权利要求1或2所述的组件,其特征在于:相对于所述第 一侧面接触衬垫对所述第二侧面接触衬垫重新进行路由。
10.如权利要求1所述的组件,其特征在于:所述第一芯片包括 用于防护所述第二芯片不受静电放电影响的防护电路。
11.如权利要求1所述的组件,其特征在于:所述第一芯片包括 无源元器件网。
12.一种电气器件,所述电气器件包括如权利要求5、6或7所 述的组件以及载体,所述第二芯片在底侧上附接到所述载体,所述底 侧背向所述第一芯片,所述载体设有终端,在所述第二芯片的另外的 接触衬垫存在时,用柔性连接将所述第一芯片的第二侧面接触衬垫和 所述第二芯片的另外的接触衬垫耦接到这些终端。
13.如权利要求12所述的电气器件,其中所述柔性连接是引线 接合。
14.一种制造第一芯片和第二芯片的组件的方法,所述方法包括 以下步骤:
将第一晶片附接到载体,所述第一晶片具有半导体基板,所述半 导体基板带有多个所述第一芯片;
将所述半导体基板变薄:
将第二晶片附接到所述第一晶片的所述变薄的半导体基板,所述 第二晶片具有半导体基板,所述半导体基板带有多个所述第二芯片; 以及
将接触衬垫打开以启动至所述组件的外部连接,其特征在于:
所述第一晶片设有第一侧面接触衬垫和第二侧面接触衬垫,在所 述半导体基板变薄之后将所述第一侧面接触衬垫暴露并在所述附接 步骤中电气耦接到所述第二晶片中的结合衬垫,以及
将所述组件与所述载体分离以打开所述第二侧面接触衬垫,以启 动外部连接。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于:所述第一晶片和 第二晶片设有沟槽,用填充材料填充所述这些沟槽,且在所述变薄步 骤之后,所述这些沟槽从所述这些晶片的所述第一侧面向所述第二侧 面延伸,其中,通过将所述填充材料从所述这些沟槽取出并接着将所 述组件从所述载体至少局部取出以将所述组件具体处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司,未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680041943.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类