[发明专利]使用阵列电容器核心的封装有效

专利信息
申请号: 200680041819.6 申请日: 2006-12-06
公开(公告)号: CN101305455A 公开(公告)日: 2008-11-12
发明(设计)人: K·D·艾勒特;K·拉达克里希南;K·艾京;M·J·希尔 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/498;H01L23/64
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈松涛;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 使用 阵列 电容器 核心 封装
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

对基板进行钻孔或蚀刻,以便暴露所述基板中的占据微过孔区的微过孔,所述微过孔在顶部基板层之间提供电连接,所述顶部基板层具有顶部表面,该顶部表面具有用于附着到半导体管芯以形成封装器件的附着接触部,微过孔嵌在所述顶部基板层中;

将阵列电容器结构设置成与所述微过孔区接触,所述阵列电容器结构电连接到所述微过孔;以及

在所述阵列电容器结构上形成底部基板层,所述底部基板层具有与封装基板上的至少一个外部焊盘或引脚的电连接。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,对所述基板进行钻孔或蚀刻的步骤包括:

对所述基板进行钻孔或蚀刻,以完全地去除所述基板的核心。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,设置所述阵列电容器结构的步骤包括:

叠置多个阵列电容器。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,设置所述阵列电容器结构的步骤包括:

彼此邻接地设置多个阵列电容器。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述底部基板层的步骤包括:

形成电连接到所述阵列电容器结构的所述底部基板层。

6.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

穿过所述阵列电容器结构布设信号和功率连接。

7.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

通过管芯凸起将管芯附着到所述基板的表面,所述管芯凸起电连接到所述微过孔。

8.一种封装基板,包括:

顶部基板层,所述顶部基板层具有顶部表面,该顶部表面具有用于附着到半导体管芯以形成封装器件的附着接触部,所述顶部基板层嵌有微过孔,所述微过孔占据微过孔区并且在顶部基板层之间提供电连接;

阵列电容器结构,该阵列电容器结构被设置成与所述微过孔区接触,所述阵列电容器结构电连接到所述微过孔;以及

底部基板层,该底部基板层形成在所述阵列电容器结构上,所述底部基板层具有与封装基板上的至少一个外部焊盘或引脚的电连接。

9.根据权利要求8所述的封装基板,其中,所述阵列电容器结构占据所述基板的主要部分或整个核心。

10.根据权利要求8所述的封装基板,其中,所述阵列电容器结构包括彼此叠置的多个阵列电容器。

11.根据权利要求8所述的封装基板,其中,所述阵列电容器结构包括彼此邻接设置的多个阵列电容器。

12.根据权利要求8所述的封装基板,其中,所述底部基板层电连接到所述阵列电容器结构。

13.根据权利要求8所述的封装基板,其中,所述阵列电容器结构包括信号和功率连接。

14.一种集成电路封装,包括:

具有管芯凸起的管芯;和

封装基板,其通过所述管芯凸起附着到所述管芯上,所述封装基板包括:

顶部基板层,该顶部基板层具有顶部表面,该顶部表面具有用于附着到半导体管芯以形成封装器件的附着接触部,所述顶部基板层嵌有微过孔,所述微过孔占据微过孔区并且在顶部基板层之间提供电连接,

阵列电容器结构,其被设置成与所述微过孔区接触,所述阵列电容器结构电连接到所述微过孔,以及

底部基板层,其形成在所述阵列电容器结构上。

15.根据权利要求14所述的集成电路封装,其中,所述阵列电容器结构占据所述基板的主要部分或整个核心。

16.根据权利要求14所述的集成电路封装,其中,所述阵列电容器结构包括彼此叠置的多个阵列电容器。

17.根据权利要求14所述的集成电路封装,其中,所述阵列电容器结构包括彼此邻接设置的多个阵列电容器。

18.根据权利要求14所述的集成电路封装,其中,所述底部基板层电连接到所述阵列电容器结构。

19.根据权利要求14所述的集成电路封装,其中,所述阵列电容器结构包括信号和功率连接。

20.根据权利要求14所述的集成电路封装,其中,所述管芯凸起电连接到所述微过孔。

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