[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种在半导体基板上具有多个光敏二极管的半导体装置，其特征在于，

该多个光敏二极管的阴极和阳极形成为与该半导体基板电独立，

该多个光敏二极管具有公共阳极和多个分离的阴极，并且来自该公共阳极的输出被作为等效于该多个分离的光敏二极管输出的总和，

其中，该半导体装置包括形成于该半导体基板上的绝缘层，形成在该绝缘层上的P型掩埋层，由浓度低于该掩埋层的浓度的P型层形成在该掩埋层上的P型低浓度层；以及形成在该低浓度层的上层中用作该多个阴极的N型层，

由该低浓度层和该掩埋层形成的阳极区域由到达该绝缘层的隔离区域分段和隔离，且阳极引出区域形成于该低浓度层中以达到该掩埋层，该阳极引出区域由浓度高于该低浓度层的浓度的P型杂质层形成，

该公共阳极由被该隔离区域分段和隔离的该掩埋层和该低浓度层以及形成于该低浓度层中的该阳极引出区域构成。

2.一种在半导体基板上具有多个光敏二极管的半导体装置，其特征在于，

该多个光敏二极管的阴极和阳极形成为与该半导体基板电独立，

该多个光敏二极管具有公共阴极和多个分离的阳极，并且来自该公共阴极的输出被作为等效于该多个分离的光敏二极管输出的总和，

其中，该半导体装置包括形成于该半导体基板上的绝缘层，形成在该绝缘层上的N型掩埋层，由浓度低于该掩埋层的浓度的N型层形成在该掩埋层上的N型低浓度层；以及形成在该低浓度层的上层中用作该多个阳极的P型层，并且

由该低浓度层和该掩埋层形成的阴极区域由到达该绝缘层的隔离区域分段和隔离，且阴极引出区域形成于该低浓度层中以达到该掩埋层，该阴极引出区域由浓度高于该低浓度层的浓度的N型杂质层形成，

该公共阴极由被该隔离区域分段和隔离的该掩埋层和该低浓度层以及形成于该低浓度层中的该阴极引出区域构成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，该掩埋层和该低浓度层所形成的半导体区域的厚度大于光学吸收长度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该光敏二极管接收从光盘反射的反射光，该半导体装置使用该公共阳极的输出作为RF信号，并且该半导体装置使用该多个分离的阴极的输出进行聚焦信号处理和跟踪信号处理。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该光敏二极管接收从光盘反射的反射光，并且

该半导体装置使用该公共阴极的输出作为RF信号，并且使用该多个分离的阳极的输出进行聚焦信号处理和跟踪信号处理。

6.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括下面的步骤：

在半导体基板上形成的绝缘层上形成P型掩埋层，

在该掩埋层上形成浓度低于该掩埋层的浓度的P型低浓度层，

在该低浓度层中形成到达该掩埋层的阳极引出区域，该阳极引出区域由浓度高于该低浓度层的浓度的P型杂质层形成，

形成到达该绝缘层的隔离区域以便将该低浓度层和该掩埋层分段和隔离成独立的公共阳极区域，以及

在该低浓度层中形成N型区域用作光敏二极管的阴极，

由该隔离区域分段和隔离的该掩埋层、该低浓度层以及形成在该低浓度层中的该阳极引出区域形成公共阳极。

7.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括下面的步骤：

在半导体基板上形成的绝缘层上形成N型掩埋层，

在该掩埋层上形成浓度低于该掩埋层的浓度的N型低浓度层，

在该低浓度层中形成到达该掩埋层的阴极引出区域，该阴极引出区域由浓度高于该低浓度层的浓度的N型杂质层形成，

形成到达该绝缘层的隔离区域以便将该低浓度层和该掩埋层分段和隔离成独立的公共阴极区域，以及

在该低浓度层中形成P型区域用作光敏二极管的阳极，

由该隔离区域分段和隔离的该掩埋层、该低浓度层以及形成在该低浓度层中的该阴极引出区域形成公共阴极。