[发明专利]半导体结构以及组装方法有效
| 申请号: | 200680039742.9 | 申请日: | 2006-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN101553918A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
| 发明(设计)人: | B·W·康戴;L·维斯瓦纳坦;R·W·维兹 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 康建忠 |
| 地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 结构 以及 组装 方法 | ||
1.一种半导体结构,包括:
具有第一表面的衬底;
位于所述衬底的第一表面上的半导体芯片;
位于所述衬底的第一表面上的电隔离体结构,其中所述电隔离体结构包括电引线和被模压到所述电引线的有机基质元件;以及
将所述电隔离体结构与所述衬底的第一表面耦接在一起的焊料元件,
其中,所述电隔离体结构还包括金属元件;
所述有机基质元件被模压到所述金属元件;以及
所述有机基质元件位于所述金属元件与所述电引线之间。
2.根据权利要求1的半导体结构,其中:
所述衬底包含导电材料并且被电耦接到所述半导体芯片。
3.根据权利要求1的半导体结构,还包括:
位于所述半导体芯片与所述衬底的第一表面之间并且将所述半导体芯片与所述衬底的第一表面耦接在一起的粘合剂,
其中,所述焊料元件具有第一熔化温度;以及
所述粘合剂具有高于所述第一熔化温度的第二熔化温度。
4.一种半导体封装系统,包括:
包含导电材料且具有第一表面的凸缘;
至少一个半导体芯片,其具有位于所述凸缘的第一表面之上且电耦接到所述凸缘的第一表面的至少一个半导体器件,其中所述至少一个半导体器件是有源器件;
位于所述凸缘的第一表面上的至少一个匹配元件;
将所述至少一个半导体器件耦接到所述凸缘的第一表面的第一焊料 元件,其中所述第一焊料元件包含无铅焊料;
位于所述凸缘的第一表面上的框架结构,其中所述框架结构包括至少两条电引线、位于所述至少两条电引线下面的基底金属元件、以及位于所述至少两条电引线与所述基底金属元件之间并且被模压到所述至少两条电引线与所述基底金属元件的有机基质电绝缘元件;
将所述基底金属元件耦接到所述凸缘的第一表面的第二焊料元件;
将所述至少一个半导体器件和所述至少一个匹配元件电耦接到所述至少两条电引线的电互连结构;以及
位于所述凸缘和所述框架结构上面的盖子,以至少粗漏密封所述至少一个半导体芯片、所述至少一个匹配元件以及所述电互连结构于其中。
5.根据权利要求4的半导体封装系统,其中:
所述有机基质电绝缘元件面向所述凸缘的表面具有第一表面面积;以及
所述基底金属元件面向所述凸缘的表面具有小于所述第一表面面积的第二表面面积。
6.一种半导体结构,包括:
具有第一表面的衬底;
位于所述衬底的第一表面上的半导体芯片;
位于所述衬底的第一表面上的电隔离体结构,其中所述电隔离体结构包括电引线和有机基质元件;以及
将所述电隔离体结构与所述衬底的第一表面耦接在一起的焊料元件,
其中,所述有机基质元件包括塑料;以及
所述电隔离体结构还包括金属元件。
7.根据权利要求6的半导体结构,其中:
所述衬底包含导电材料并且被电耦接到所述半导体芯片。
8.根据权利要求6的半导体结构,其中:
所述有机基质元件位于所述金属元件和所述电引线之间。
9.根据权利要求6的半导体结构,其中:
所述金属元件包括模锁;以及
所述有机基质元件被模压到所述金属元件的模锁和所述电引线。
10.一种半导体结构,包括:
具有第一表面的衬底;
位于所述衬底的第一表面上的半导体芯片;
位于所述衬底的第一表面上的电隔离体结构,其中所述电隔离体结构包括电引线和有机基质元件;以及
将所述电隔离体结构与所述衬底的第一表面耦接在一起的焊料元件;
位于所述半导体芯片与所述衬底的第一表面之间并且将所述半导体芯片与所述衬底的第一表面耦接在一起的粘合剂,
其中,所述焊料元件具有第一熔化温度;
所述粘合剂具有高于所述第一熔化温度的第二熔化温度;
所述有机基质元件包括塑料;以及
所述电隔离体结构还包括金属元件。
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