[发明专利]压电陶瓷组成物和压电陶瓷有效
| 申请号： | 200680039413.4 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101291889A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 福冈修一;江口知宣;中久保仁 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;H01L41/09;H01L41/187 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电 陶瓷 组成 | ||
【权利要求书】：
1.一种压电陶瓷，其特征在于，由下式表示：
(1-a-b)(KxNayLi1-x-y)NbO3-a(Bi0.5Na0.5)TiO3-bBiFeO3
其中，0＜a≤0.12、0＜b≤0.10、0≤x≤0.18、0.8＜y＜1.00。
2.根据权利要求1所述的压电陶瓷，其特征在于，0.02≤a≤0.04、0.01＜b≤0.03、0.025≤x≤0.075、0.905＜y＜0.98。
3.根据权利要求1所述的压电陶瓷，其特征在于，共振频率的温度变化率、反共振频率的温度变化率和压电g33常数的温度变化率中至少一个在-40～150℃的温度范围中不存在第二次相转变。
4.根据权利要求1所述的压电陶瓷，其特征在于，机电耦合系数k33为30％以上，并且压电g33常数为20×10-3V/N以上。
5.根据权利要求1所述的压电陶瓷，其特征在于，具有钙钛矿型结晶结构。
6.根据权利要求2所述的压电陶瓷，其特征在于，居里温度比280℃高。
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