[发明专利]用于改进薄膜太阳能电池互连的系统和方法

权利要求书

1、一种用于为薄膜太阳能电池形成互连的方法，其特征在于，该方法包 括：

沉积一堆电池的有源层和导体层，其中所述沉积步骤以独立工艺序列进 行；以及

形成所述互连。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成步骤包括在所述 堆中形成多于一个切口，所述切口中的至少一个切口穿过所述堆切割到下面的 绝缘体。

3、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成步骤包括紧邻穿 过所述有源层的切口中的至少一个切口切割另一个切口，并且在所述下面的绝 缘体上露出所述传导凸缘。

4、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，激光用于形成所述切口中 的至少一个切口。

5、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，机械划线用于所述切口中 的至少一个切口。

6、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成步骤还包括在切 口区域中沉积导体之后沉积绝缘体。

7、根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成步骤还包括在所 述切口区域沉积导体之后沉积绝缘体。

8、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成步骤包括利用喷 墨工艺形成所述互连的至少一个层。

9、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述堆的顶部沉积附加 层以提高所述互连的接触阻抗。

10、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述绝缘体为感光材料。

11、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述绝缘体为感光材料。

12、根据权利要求10所述的方法，其特征在于，以自对准方式，穿过其 上沉积所述堆的衬底露出所述绝缘体。

13、根据权利要求11所述的方法，其特征在于，以自对准方式，穿过其 上沉积所述堆的衬底露出所述绝缘体。

14、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺序列在真空中。

15、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述互连形成步骤包括在 工艺中沉积导体层，所述工艺为独立的独立工艺序列，用于沉积所述有源层。

16、根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述独立沉积的导体层 是不透明的。

17、根据权利要求16所述的方法，其特征在于，将所述导体层镀在光电 导体上。

18、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成步骤包括穿过所 述堆形成切口，所述切口的第一部分完全地穿过所述堆到下面的绝缘体，所述 切口的第二部分穿过所述有源层并在所述下面绝缘体上形成传导凸缘。

19、根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述通过激光形成的切口 使得冲蚀所述下层绝缘体，以在所述单元的侧壁上提供绝缘涂层，所述侧壁邻 近所述有源层的至少一部分。

20、根据权利要求18所述的方法，其特征在于，通过激光形成所述切口 并使得冲蚀所述下层绝缘体，以在所述单元的侧壁上提供绝缘涂层，所述侧壁 邻近所述有源层的至少一部分。