[发明专利]兰姆波器件

权利要求书

1.一种兰姆波器件，其中，

具有：

衬底基板；

压电薄膜，其形成在所述衬底基板上，具有从该衬底基板浮起的部分，该浮起的部分具有与衬底基板相对的第一面以及相反侧的面即第二面；

IDT电极，其配置在所述压电薄膜的第一、第二面的其中一方，

所述压电薄膜由LiTaO₃或LiNbO₃构成，

所述压电薄膜的c轴，处于与相对于所述压电薄膜的第一、第二面的法线大致相同的方向，该压电薄膜的晶体结构是以c轴为旋转轴的旋转双晶。

2.根据权利要求1所述的兰姆波器件，其特征在于，

所述压电薄膜是LiNbO₃，

所述IDT电极由铝或以铝为主成分的合金构成，

设所述IDT电极的厚度为h，所述压电薄膜的膜厚为d，兰姆波的利用模式的波长为λ时，h和d满足以下I～III的其中一个条件：

I   0.01≤h/d≤0.24并且0.090≤d/λ≤0.107

II  0.01≤h/d≤0.24并且0.133≤d/λ≤0.233

III 0.01≤h/d≤0.24并且0.257≤d/λ≤0.300。

3.根据权利要求1所述的兰姆波器件，其特征在于，

所述压电薄膜是LiTaO₃，所述IDT电极由铝或以铝为主成分的合金构成，

设所述IDT电极的厚度为h，所述压电薄膜的膜厚为d，兰姆波的利用模式的波长为λ时，h和d满足以下IV～VI的其中一个条件：

IV 0.01≤h/d≤0.26并且0.093≤d/λ≤0.125

V  0.01≤h/d≤0.26并且0.141≤d/λ≤0.240

VI 0.01≤h/d≤0.26并且0.260≤d/λ≤0.300。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的兰姆波器件，其特征在于，

所述IDT电极形成在压电薄膜的第二面上。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的兰姆波器件，其特征在于，

所述IDT电极形成在所述压电薄膜的第一面上。