[发明专利]电容器互联器无效
| 申请号: | 200680039001.0 | 申请日: | 2006-10-18 |
| 公开(公告)号: | CN101341633A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
| 发明(设计)人: | 卢志伟;黄志权;陆汶庆;蔡凯明;卫莱莱;苏那潘·瓦苏迪文 | 申请(专利权)人: | 新加坡科技研究局 |
| 主分类号: | H01R12/00 | 分类号: | H01R12/00;H05K3/42;H05K1/00 |
| 代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张瑾;王黎延 |
| 地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电容器 互联器 | ||
技术领域
本发明广泛来说涉及一种用于电源去耦的基板,以及形成用于电源去耦的 基板的方法。
背景技术
在电子设备和系统中用于电源去耦(power decoupling)的分布式电容器的最 佳化设计与应用中,分布式或嵌入式去耦电容器的串联电阻,一般是通过使用 在连到分布式去耦电容器上的连接孔的定位焊盘(capture pad)周围印刷或形 成的环形阻材圈来提供的。因此,该去耦电容器通过串联电阻器连接至该电源 层。然而此设计有许多缺点,包括:
-互联去耦电容器的连接孔之间的缝隙是由环型圈的直径决定,从而增加 了去耦电容器互联的连接孔孔距。
-互联去耦电容器的连接孔之间的缝隙是由环型圈的直径决定,限制连接 孔耦合效应,从而实际上增加了去耦电容器互联的有效电感,并使电源去耦性 能退化。
-去耦电容器和电源层之间的串联电阻可通过横向互联来提供,该横向互 联禁止有源设备和去耦电容器之间的直接互联,导致去耦电容器和有源设备之 间额外的回路电感,而且还使信号的可布通性退化。
-在电源层上使用电阻材质形成串联电阻,会在直流电(dc)情况下或用 于高电流路径的低频情况下影响有效电阻,使电性能退化,特别是对于高能装 置。
-在电源层上使用电阻材质形成串联电阻,还会导致额外的热敏电阻,这 是因为电阻材质固有的热性质。电源层本质上是提供有源设备散热的横向导热 路径。
因此需要一种去耦电容器互联的设计与方法以解决上述提到的至少一个缺 点。
发明内容
根据本发明第一方面,提供一种用于电源去耦的基板,包括至少一个去耦 电容器;以及至少一个连接至去耦电容器的互联器,至少一个互联器包含损耗 材质。
至少一个互联器,可包含由损耗性和导电性材质制成的不同段。
该不同段可串联连接。
该互联器可包含垂直连接孔。
该基板还可包括一个固定于基板表面的有源设备,且每一个垂直连接孔可 直接互联到各自的去耦合电容器和有源设备。
至少一个互联器可直接连接至基板的电源层。
至少一个互联器可直接连接至基板的接地层。
该互联器可与基板的电源层绝缘。
每一个去耦电容器可包括表面固定的分布式电容器或嵌入式的分布式电容 器。
该基板还可以包括至少一个互联至去耦电容器的嵌入式集成电容器。
根据本发明的第二方面,提供一种制造用于电源去耦的基板的方法,该方 法包括步骤:提供至少一个去耦电容器;以及形成至少一个连接至基板中去耦 电容器的互联器;互联器中至少一个包括损耗材质。
至少一个互联器可分别形成在由损耗性和导电性的材质制成的不同段中。
该不同的段可串联连接。
该互联器可包括垂直式连接孔。
该方法可包括将有源设备固定于基板的表面上,且每一个垂直连接孔可直 接互联到各自的去耦电容器和有源设备上。
至少一个互联器可直接连接至基板的电源层。
至少一个互联器可直接连接至基板的接地层。
该互联器可与基板的电源层绝缘。
每一个去耦电容器可包括表面固定的分布式电容器或嵌入式分布电容器。
该方法可进一步包括在该基板中形成至少一个互联至去耦电容器的嵌入式 集成电容器。
该互联器可利用光刻术、印刷、填充、分配或喷射法形成。
该方法可包括利用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺技术。
该方法可包括利用有机工艺技术。
该方法可包括利用陶瓷工艺技术。
附图说明
从下面仅以示范方式并结合附图所写的说明内容中,该发明的实施例对本 领域普通技术人员来说更好理解并明显易懂,其中:
图1是根据本发明一个实施例的基板的剖面示意图;
图2是根据本发明一个实施例的基板的剖面示意图;
图3是根据本发明一个实施例的基板的剖面示意图;
图4是根据本发明一个实施例的基板的剖面示意图;
图5是根据本发明一个实施例的基板的剖面示意图;
图6是根据本发明一个实施例的基板的剖面示意图;
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