[发明专利]与衬底键合的锗层的处理

权利要求书

1、一种衬底上包括薄Ge层的结构的处理方法，所述层已经被预先与所述衬底键合，所述方法包括用于改进所述层和/或所述Ge层与下层的界面的电特性的处理，其特征在于，所述处理为在500℃和600℃之间的温度下耗时至多3小时进行的热处理。

2、根据上述权利要求所述的处理方法，其中，所述热处理对应于525℃和575℃之间的温度。

3、根据上述权利要求所述的处理方法，其中，所述热处理对应于525℃和550℃之间的温度。

4、根据上述权利要求所述的处理方法，其中，所述热处理对应于约550℃的温度。

5、根据上述权利要求所述的处理方法，其中，所述热处理持续约1小时。

6、根据上述权利要求所述的处理方法，其中，所述热处理在惰性氛围下执行。

7、根据之前任一项权利要求所述的处理方法，其中，所述薄层的厚度在约50到约200纳米之间。

8、根据之前任一项权利要求所述的处理方法，其中，所述Ge层为所述结构的上层，并且所述上层直接地键合或只通过键合层键合。

9、根据之前任一项权利要求所述的处理方法，其中，所述衬底由Si制成。

10、根据之前任一项权利要求所述的处理方法，其中，所述结构还包括在所述薄层和所述衬底之间的电绝缘材料层，从而成为绝缘体上锗结构(或者说“GeOI”结构)，由此所述结构包含在衬底上电绝缘体层之上的薄Ge层。

11、根据上述权利要求所述的处理方法，其中，所述绝缘体层至少基本包括氧化物、氮化物或氮氧化物或不同类型的层的堆叠。

12、根据之前任一项权利要求所述的处理方法，其中，所述结构还包括邻近所述薄层的钝化层。

13、根据权利要求1-11中任一项权利要求所述的处理方法，其中，所述结构还包括在所述薄层和所述结构的其余部分之间的界面层，所述界面层的制成材料使其可以改进在与Ge的界面处的电和/或光学和/或结晶特性。

14、根据权利要求12所述的处理方法，其中，所述结构还包括在所述薄层和所述结构的其余部分之间的界面层，所述界面层的制成材料使其可以改进在与Ge的界面处的电和/或光学特性。

15、一种制造包含Ge层的结构的方法，所述方法包括在施主衬底和接收衬底之间的键合，所述施主衬底至少在其上部包括薄Ge层，所述方法的特征在于，该方法包括如下步骤：

(a)将所述施主衬底与接收衬底键合，从而使所述Ge层位于键合界面附近；

(b)去除所述施主衬底中不包括所述Ge层的部分；

(c)对包括接收衬底和Ge层的所述结构进行处理，所述处理根据之前任一项权利要求所述的处理方法进行。

16、根据上述权利要求所述的制造结构的方法，其中，该方法还包括：在步骤(a)之前，在所述Ge层上形成钝化层。

17、根据上述权利要求所述的制造结构的方法，其中，所述钝化层由GeOxNy制成，并首先由如下技术中单独一种或其组合形成：

-表面Ge氧化，接着进行氧化锗的氮化，或者反过来进行；

-使用诸如NH₃或N₂的氮的前体，和诸如水或分子氧的氧的前体进行热处理；

-通过前体NH₃、N₂、O₂或N₂+O₂的混合物进行等离子体处理。

18、根据权利要求15所述的制造结构的方法，其中还包括：在步骤(a)之前，用旨在改进在与Ge的界面处的电和/或光学特性的材料在所述Ge层上沉积界面层。

19、根据权利要求16-17中任一项权利要求所述的制造结构的方法，其中还包括：在步骤(a)之前，在所述钝化层上沉积界面层，所用材料使其可以改进在与锗的界面处的光学和/或形态特性。