[发明专利]用于有机装置的包封电极

权利要求书

1.一种形成有机光敏性光电子装置的方法，包含：

提供被布置在透明基底上的包含第一导电材料的第一透明膜；

在所述第一导电材料上沉积第一光电导性有机材料；

在所述第一光电导性有机材料上以不超过1nm/s的初始速率沉积第一金属，完全覆盖所述第一光电导性有机材料的任何暴露部分和与所述第一光电导性有机材料的任何暴露界面至不小于10nm的厚度；和

在得到不小于10nm的厚度之后，以初始速率的至少3倍的增加速率溅射第二金属，直到完全覆盖所述第一光电导性有机材料的先前暴露的部分和与所述第一光电导性有机材料的先前暴露的界面的所述第一和第二金属的累积厚度为至少250nm。

2.如权利要求1所述的方法，其中通过溅射进行以不超过1nm/s的初始速率沉积所述第一金属。

3.如权利要求2所述的方法，其中以连续的不中断的溅射过程进行从所述初始速率到所述增加的速率的过渡。

4.如权利要求3所述的方法，其中当所述第一金属的厚度为不超过30nm时发生从初始溅射速率到增加的溅射速率的过渡。

5.如权利要求1所述的方法，其中通过真空热沉积进行以不超过1nm/s的所述初始速率沉积所述第一金属。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述增加的速率在1nm/s～10nm/s范围中。

7.如权利要求1所述的方法，其中以所述增加的速率溅射所述第二金属，直到与以所述初始速率沉积的所述第一金属的所述累积厚度为250nm～2.5μm。

8.如权利要求7所述的方法，其中具有250nm～2.5μm的所述累积厚度的所述第一和第二金属一起具有在25℃下对H₂O的不超过5×10^-6g/m²/天的渗透率和在25℃下对O₂的不超过5×10^-6cm³/m²/天/大气压的渗透率。

9.如权利要求8所述的方法，其中在25℃下对H₂O的所述渗透率为不超过1×10^-6g/m²/天和在25℃下对O₂的所述渗透率为不超过1×10^-6cm³/m²/天/大气压。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二金属以及所述第一光电导性有机材料各自覆盖不小于1cm²的连续面积。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述第一和第二金属以及所述第一光电导性有机材料各自覆盖不小于10cm²的连续面积。

12.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在沉积所述第一光电导性有机材料之前，沉积并图案化非导电材料。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述非导电材料覆盖所述第一导电材料，一部分所述第一导电材料从所述非导电材料下方延伸出，以提供与覆盖所述第一光电导性有机材料的先前暴露的部分的所述第一和第二金属电隔离的布线接触。

14.如权利要求1所述的方法，进一步包含：

在沉积所述第一光电导性有机材料之前，提供第二导电材料，布置所述第二导电材料以与所述第一导电材料电隔离；

在沉积所述第一光电导性有机材料之前，在所述第二导电材料上沉积并图案化非导电材料；

将包含第三导电材料的第二透明膜沉积在所述第一光电导性有机材料上，一部分所述第三导电材料物理接触所述第二导电材料，沉积所述第三导电材料以与所述第一导电材料电隔离；和

将第二光电导性有机材料沉积在包含所述第三导电材料的所述第二透明膜上，

其中所述第一和第二金属也完全覆盖所述第二光电导性有机材料的任何暴露部分和与所述第二光电导性有机材料的任何暴露界面，将覆盖所述第一和第二光电导性材料的先前暴露的部分的所述第一和第二金属电连接到所述第一导电材料并与所述第二和第三导电材料电隔离。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料是相同的材料。