[发明专利]具有多重栅极器件的信号转换器有效
申请号: | 200680038265.4 | 申请日: | 2006-10-13 |
公开(公告)号: | CN101288231A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
发明(设计)人: | 穆罕默德·S·穆萨;斯里拉姆·S·卡尔帕特;莱奥·马修 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | H03M1/12 | 分类号: | H03M1/12 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏;黄启行 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 多重 栅极 器件 信号 转换器 | ||
1.一种模数转换器,包括:
多个多重独立栅极FET(MIGFET),提供多个数字输出信号,其中
所述多个MIGFET中的每个MIGFET具有用于接收模拟信号的第一栅极、用于被偏置的第二栅极、和用于从所述多个数字输出信号中提供数字输出信号的电流电极;并且
所述多个MIGFET中的每个MIGFET具有体宽度和沟道长度的组合,所述组合在所述多个MIGFET中是独特的,以导致所述多个MIGFET中的独特的阈值电压。
2.如权利要求1所述的模数转换器,其中所述多个MIGFET包括:
第一MIGFET,具有第一体宽度和第一沟道长度;
第二MIGFET,具有第二体宽度和第二沟道长度;
第三MIGFET,具有第三体宽度和第三沟道长度;以及
第四MIGFET,具有第四体宽度和第四沟道长度。
3.如权利要求1所述的模数转换器,其中所述多个MIGFET中的每个MIGFET的特征进一步在于,具有耦合到接地端的第二电流电极。
4.如权利要求1所述的模数转换器,进一步包括偏置电路,所述偏置电路耦合到所述多个MIGFET的每个第二栅极。
5.如权利要求4所述的模数转换器,其中所述偏置电路提供偏置电压,所述偏置电压改变所述多个MIGFET中的每个MIGFET的阈值电压。
6.如权利要求5所述的模数转换器,其中所述偏置电路的特征进一步在于,所述偏置电路是可编程的。
7.如权利要求1所述的模数转换器,其中所述MIGFET的特征进一步在于,所述MIGFET是N沟道的。
8.一种模数转换器,包括:
多个FET,提供多个数字输出信号,其中
所述多个FET中的每个FET具有用于接收模拟信号的第一栅极和用于提供多个所述数字输出信号的数字输出信号的电流电极;并且
所述多个FET中的每个FET具有在所述多个FET中独特的阈值电压。
9.如权利要求8所述的模数转换器,其中所述多个FET包括多个MIGFET。
10.如权利要求9所述的模数转换器,其中所述多个MIGFET具有至少四种不同的体宽度。
11.如权利要求10所述的模数转换器,其中所述多个MIGFET具有至少四种不同的沟道长度。
12.如权利要求11所述的模数转换器,进一步包括可编程偏置电路,其中所述多个MIGFET中的每个MIGFET具有耦合到所述可编程偏置电路的第二栅极,以改变所述多个MIGFET中的每个MIGFET的阈值电压。
13.如权利要求12所述的模数转换器,进一步包括负载器件,所述负载器件耦合到所述MIGFET的电流电极,其中所述负载器件包括具有可调阻抗的MIGFET。
14.一种数模转换器,包括:
多个FET,在求和节点处提供模拟信号,其中
所述多个FET中的每个FET具有用于从多个数字信号中接收不同的数字信号的第一栅极,和耦合到所述求和节点的电流电极;并且
所述多个FET中的每个FET具有在所述多个FET中独特的阈值电压。
15.如权利要求14所述的数模转换器,其中所述多个FET包括多个MIGFET。
16.如权利要求15所述的数模转换器,其中所述多个MIGFET具有至少四种不同的体宽度。
17.如权利要求16所述的数模转换器,其中所述多个MIGFET具有至少四种不同的沟道长度。
18.如权利要求17所述的数模转换器,其中所述多个MIGFET中的每个MIGFET具有用于被偏置的第二栅极,以改变所述多个MIGFET中的每个MIGFET的阈值电压。
19.如权利要求18所述的数模转换器,进一步包括可编程偏置电路,所述可编程偏置电路耦合到所述多个MIGFET的第二栅极。
20.如权利要求14所述的数模转换器,进一步包括电流电压转换器,所述电流电压转换器耦合到所述求和节点。
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