[发明专利]具有多重栅极晶体管的压控振荡器及其方法有效
| 申请号: | 200680038211.8 | 申请日: | 2006-10-04 |
| 公开(公告)号: | CN101288223A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
| 发明(设计)人: | 斯里拉姆·S·卡尔帕特;莱奥·马修;穆罕默德·S·穆萨;迈克尔·A·萨德;赫克托·桑切斯 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号: | H03B1/00 | 分类号: | H03B1/00 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏;黄启行 |
| 地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 多重 栅极 晶体管 压控振荡器 及其 方法 | ||
1.一种压控振荡器,包括:
多个串联连接的反相器,所述多个串联连接的反相器中的每个反相器包括:
第一晶体管,其具有耦合到第一电源电压接线端的第一电流电极、第二电流电极、耦合到所述多个串联连接的反相器的前一反相器的输出接线端的第一控制电极、和用于接收第一偏置信号的第二控制电极;和
第二晶体管,其具有耦合到所述第一晶体管的所述第二电流电极的第一电流电极、耦合到第二电源电压接线端的第二电流电极、和耦合到所述第一晶体管的所述第一控制电极的第一控制电极。
2.如权利要求1所述的压控振荡器,其中,所述第一偏置信号用于调节阈值电压,所述阈值电压是所需用于响应于在所述第一晶体管的所述第一控制电极处的输入信号而形成所述第一晶体管中的沟道的电压。
3.如权利要求1所述的压控振荡器,其中,每个第一晶体管的所述第二控制电极耦合到一起以接收所述第一偏置信号。
4.如权利要求1所述的压控振荡器,其中,每个第一晶体管的所述第二控制电极接收不同的偏置信号。
5.如权利要求1所述的压控振荡器,其中,所述第一偏置信号可以在预定的电压范围内变化以调节所述压控振荡器的振荡频率。
6.如权利要求1所述的压控振荡器,其中,所述第一偏置信号可以变化以改变所述第一晶体管的传导性。
7.如权利要求1所述的压控振荡器,其中,所述第二晶体管进一步包括用于接收第二偏置信号的第二控制电极。
8.如权利要求1所述的压控振荡器,进一步包括第三晶体管,所述第三晶体管具有耦合到所述第一电源电压接线端的第一电流电极、耦合到所述第一晶体管的所述第二电流电极的第二电流电极、耦合到所述第一晶体管的所述第一控制电极的第一控制电极、和用于接收第二偏置信号的第二控制电极,其中,所述第二偏置信号是与所述第一偏置信号分开提供的。
9.如权利要求8所述的压控振荡器,其中,所述第二偏置信号可以在预定的电压范围内变化,用于调节所述压控振荡器的输出信号的相位。
10.一种用于控制压控振荡器的方法,包括:
提供串联连接在一起的多个反相器,所述多个反相器中的每个反相器具有在第一电源接线端和第二电源接线端之间串联耦合在一起的第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和所述第二晶体管均具有耦合到所述多个反相器中的另一反相器的输出接线端的第一控制电极,并且所述第一晶体管具有用于接收第一偏置信号的第二控制电极;以及
使所述第一偏置信号的电压变化以调节所述压控振荡器的振荡频率。
11.如权利要求10所述的方法,其中,提供所述多个反相器进一步包括:将不同的偏置信号提供给所述多个反相器中的每个第一晶体管的所述第二控制电极。
12.如权利要求10所述的方法,其中,提供所述多个反相器进一步包括:为所述多个反相器中的每个反相器的第二晶体管提供第二控制电极,所述第二控制电极用于接收第二偏置信号。
13.如权利要求10的方法,进一步包括提供第三晶体管,所述第三晶体管具有耦合到所述第一电源接线端的第一电流电极、耦合到所述第一晶体管的所述第二电流电极的第二电流电极、耦合到所述第一晶体管的所述第一控制电极的第一控制电极、和用于接收第二偏置信号的第二控制电极,其中,所述第二偏置信号是与所述第一偏置信号分开提供的。
14.如权利要求13所述的方法,其中,所述第二偏置信号可以在预定的电压范围内变化,用于调节所述压控振荡器的输出信号的相位。
15.如权利要求13所述的方法,进一步包括提供第四晶体管,所述第四晶体管具有耦合到所述第一晶体管的所述第二电流电极的第一电流电极、耦合到所述第二晶体管的所述第一控制电极的第一控制电极、和用于接收第三偏置信号的第二控制电极,其中,所述第三偏置信号是与所述第一偏置信号分开提供的。
16.如权利要求15所述的方法,其中,所述第三偏置信号可以在预定的电压范围内变化,用于调节所述压控振荡器的输出信号的相位。
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