[发明专利]用于现场摩尔渗透压浓度测试的方法和装置无效
| 申请号: | 200680038026.9 | 申请日: | 2006-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN101287979A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
| 发明(设计)人: | J·胡梅尼克;G·纳塔拉詹;S·帕汀顿;S·莱迪 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
| 主分类号: | G01N13/00 | 分类号: | G01N13/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;李峥 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 现场 摩尔 渗透压 浓度 测试 方法 装置 | ||
1.一种样本接收芯片,包括:
衬底,具有用于接收样本流体的通过所述衬底的流体通路,所述流体通路包括第一端口、至少一个第二端口以及凹进的沟道,所述凹进的沟道被包含在所述衬底中;以及
至少两个电极,位于所述衬底中,接触在所述凹进的沟道中的所述样本流体以测量所述样本流体的特性。
2.根据权利要求1的芯片,其中所述衬底还包括下列之一:
a)至少两个电极窗口,提供至所述至少两个电极的入口;以及
b)接触,所述至少两个电极被连接至所述接触,所述接触位于所述衬底的外表面上。
3.根据权利要求1的芯片,其中所述衬底是多层的。
4.根据权利要求1的芯片,其中所述衬底是堇青石基的玻璃陶瓷以及所述至少两个电极是由铜、镍以及玻璃陶瓷共烧结的。
5.根据权利要求1的芯片,其中所述样本流体的体积小于约30nL。
6.根据权利要求1的芯片,其中所述第一端口将所述样本流体引入凹进的腔,以及所述至少一个第二端口将所述样本流体排出所述凹进的沟道。
7.根据权利要求1的芯片,其中将所述芯片耦合到这样的装置,所述装置包括基础构件;用于接收样本流体的被安装至所述基础构件的样本接收芯片;以及用于在所述样本接收芯片上沉积所述样本流体的被安装至所述基础构件的导管,所述导管包括第一端和第二端。
8.一种用于摩尔渗透压浓度测试的装置,包括:
基础构件;
样本接收芯片,被安装至所述基础构件,用于接收样本流体;以及
导管,被安装至所述基础构件,用于在所述样本接收芯片上沉积所述样本流体,所述导管包括第一端和第二端。
9.根据权利要求8的装置,还包括毛细管容器,其包括:
基础单元,包括用于将所述导管安装至所述基础单元的紧固件,以及用于接收所述导管的所述第一端的腔,所述腔包括基本上挠性的隔板;以及
机构,用于将外部压力施加到所述基本上挠性的隔板以改变腔压力从而从所述导管的所述第二端放出所述样本流体。
10.根据权利要求8的装置,其中所述样本接收芯片包括:
衬底,具有用于接收样本流体的通过所述衬底的流体通路,所述流体通路包括第一端口、至少一个第二端口以及凹进的沟道,所述凹进的沟道被包含在所述衬底中;以及
至少两个电极,位于所述衬底中,接触在所述凹进的沟道中的所述样本流体以测量所述样本流体的特性。
11.根据权利要求10的装置,其中所述衬底还包括下列之一:
a)至少两个电极窗口,提供至所述至少两个电极的入口;以及
b)接触,所述至少两个电极被连接至所述接触,所述接触位于所述衬底的外表面上。
12.根据权利要求10的装置,其中所述衬底是堇青石基的玻璃陶瓷以及所述至少两个电极是由铜、镍以及玻璃陶瓷共烧结的。
13.根据权利要求10的装置,其中所述第一端口将所述样本流体引入所述凹进的腔,以及所述至少一个第二端口将所述样本流体排出所述凹进的沟道。
14.根据权利要求10的装置,其中所述导管的所述第一端提取所述样本流体,以及所述导管的所述第二端在所述样本接收芯片上沉积所述样本流体。
15.根据权利要求8的装置,其中所述基础构件还包括电导率测量电路,配置所述电导率测量电路以确定所述样本流体的摩尔渗透压浓度。
16.一种用于确定样本流体的摩尔渗透压浓度方法,包括以下步骤:
通过被安装至基础构件的导管将样本流体直接传导至样本接收芯片;以及
确定所述样本流体的摩尔渗透压浓度。
17.根据权利要求16的方法,其中所述样本接收芯片包括:
衬底,具有用于接收样本流体的通过所述衬底的流体通路,所述流体通路包括第一端口、至少一个第二端口以及凹进的沟道,所述凹进的沟道被包含在所述衬底中;以及
至少两个电极,与所述衬底中的多层陶瓷共烧结,接触在所述凹进的沟道中的所述样本流体以测量所述样本流体的特性。
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