[发明专利]电子制造中的锡银焊接凸点有效
申请号: | 200680037853.6 | 申请日: | 2006-08-14 |
公开(公告)号: | CN101622701A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 汤姆斯·B·理查德森;玛里斯·克莱恩菲德;克里斯蒂娜·里特曼;伊格·扎瓦里那;奥特鲁德·斯代第尼斯;张云;约瑟夫·A·阿比斯 | 申请(专利权)人: | 恩索恩公司 |
主分类号: | H01L21/445 | 分类号: | H01L21/445 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁朝玉 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 制造 中的 焊接 | ||
1.一种用于电镀锡银焊接凸点的电镀组合物,包括:
Sn2+离子源;
Ag+离子源;和
N-烯丙基-硫脲化合物,其结构式为(I),其能在酸性pH下与Ag+离子形成水溶性络合物:
其中R1为CH2CH2OH(β-羟乙基),并且R2,R3,R4,R5和R6各自 独立为H,OH,烃基,杂环烷基,烷氧基,芳基,或杂芳基。
2.如权利要求1所述的电镀组合物,其中R2,R3,R4,R5和R6均为 H。
3.如权利要求1或2所述的电镀组合物,其中电镀组合物进一步包 括季铵盐表面活性剂。
4.如权利要求3所述的电镀组合物,其中季铵盐表面活性剂包括烷 基二甲基苄基铵盐表面活性剂。
5.如权利要求4所述的电镀组合物,其中季铵盐表面活性剂包括月 桂基二甲基苄基氯化铵和十四烷基二甲基苄基氯化铵。
6.如权利要求1或2所述的电镀组合物,其中电镀组合物进一步包 括β-萘酚衍生物。
7.如权利要求6所述的电镀组合物,其中β-萘酚衍生物包括β-萘酚 乙氧基化物,磺化的β-萘酚丙氧基化物/乙氧基化物,其具有连接 于β-萘酚的羟基上的环氧丙烷单元的嵌段、连接于环氧丙烷嵌段 上的环氧乙烷单元的嵌段和末端丙烷磺酸根基团,或其组合。
8.如权利要求1或2所述的电镀组合物,其中电镀组合物进一步包 括对苯二酚。
9.一种用于在制造微电子仪器的凸点下金属结构上形成焊接凸点 的方法包括:
将凸点下金属结构暴露于电解槽,所述电解槽包括Sn2+离子源,Ag+离子源,和具有以下结构式(I)的能在酸性pH下与Ag+离子形成 水溶性络合物的N-烯丙基-硫脲化合物:
其中R1为CH2CH2OH(β-羟乙基),并且R2,R3,R4,R5和R6各自 独立为H,OH,烃基,杂环烷基,烷氧基,芳基,或杂芳基;以及 为电解槽提供外部电子源从而将锡银合金沉积在凸点下金属结构上 面。
10.如权利要求9所述的方法,其中R2,R3,R4,R5和R6均为H。
11.如权利要求9或10所述的方法,其中N-烯丙基-硫脲化合物的浓 度在0.5g/L至24g/L之间。
12.如权利要求9或10所述的方法,其中提供外部电子源的电流密 度至少为8A/dm2。
13.如权利要求9或10所述的方法,其中电镀组合物进一步包括季 铵盐表面活性剂。
14.如权利要求13所述的方法,其中季铵盐表面活性剂包括烷基二 甲基苄基铵盐表面活性剂。
15.如权利要求14所述的方法,其中季铵盐表面活性剂包括月桂基 二甲基苄基氯化铵和十四烷基二甲基苄基氯化铵。
16.如权利要求9或10所述的方法,其中电镀组合物进一步包括β- 萘酚衍生物。
17.如权利要求9或10所述的方法,其中电镀组合物进一步包括对 苯二酚。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造