[发明专利]高分子化合物及用其形成的高分子发光元件无效
申请号: | 200680037672.3 | 申请日: | 2006-08-10 |
公开(公告)号: | CN101283019A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 小林谕;小林重也 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;C07D265/38;C07D279/22;C09K11/06;H01L51/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高分子化合物 形成 高分子 发光 元件 | ||
1、一种高分子化合物,其中,
含有由下述式(1)表示的化合物残基,
式中,C1环、C2环及C3环各自独立地表示芳香烃环或杂环,A1表示含有选自硼原子、碳原子、氮原子、氧原子、磷原子、硫原子及硒原子中的一种以上原子的2价基团,R1表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、取代羧基、杂芳氧基或杂芳硫基,或与结合有R1的C3环上的原子的相邻原子结合形成环。
2、一种高分子化合物,其中,
含有由下述式(2)表示的结构单元,
式中,C1环、C2环、C3环、A1及R1表示与上述相同的含义。
3、根据权利要求1或2所述的高分子化合物,其中,
C1环及C2环为苯环或单环型杂环。
4、根据权利要求1~3中任一项所述的高分子化合物,其中,
C3环为芳香烃环。
5、根据权利要求1~4中任一项所述的高分子化合物,其中,
C3环由下述式(3)表示,
式中,R1表示与上述相同的含义,R2及R3各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、取代羧基、杂芳氧基或杂芳硫基,当R3结合在与R1或R2结合的碳原子相邻的碳原子上时,该R3也可以与R1或R2结合形成环,n表示0、1、2或3,n为2以上时,多个R3可以相同或不同。
6、根据权利要求1~5中任一项所述的高分子化合物,其中,
A1为氧原子、硫原子、-S(=O)-、-S(=O)2-、硒原子、-Se(=O)-或-Se(=O)2-。
7、根据权利要求1~6中任一项所述的高分子化合物,其中,
A1为氧原子、硫原子或硒原子。
8、根据权利要求1~7中任一项所述的高分子化合物,其满足下述式(11),
式中,A表示与C3环结合的氮原子的屏蔽率,B表示与C3环结合的氮原子的电子密度。
9、根据权利要求1~7中任一项所述的高分子化合物,其中,
还含有由下述式(4)表示的重复单元,
式中,Ar1表示亚芳基、2价杂环基或具有金属络合物结构的2价基团,R4及R5各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或氰基,n表示0或1。
10、根据权利要求9所述的高分子化合物,其中,
上述式(4)中的n为0。
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