[发明专利]从异丁烯和至少一种乙烯基芳族化合物制备共聚物的方法

权利要求书

1.一种从包含异丁烯和至少一种乙烯基芳族化合物的单体制备共聚物的方法，该方法包括使异丁烯或异丁烯型烃混合物在式I催化剂的存在下与至少一种乙烯基芳族化合物聚合，

[M(L)_a(Z)_b]^m+m(A^-)   (I)

其中

M是元素周期表3-12族的过渡金属、镧系元素或元素周期表2或13族的金属；

L是溶剂分子；

Z是带有单电荷或多电荷的配体；

A^-是弱配位或非配位的阴离子；

a是大于1或等于1的整数；

b是0或是大于1或等于1的整数；

其中a和b的总和是4-8；和

m是1-6的整数。

2.根据权利要求1的方法，用于从包含异丁烯和至少一种乙烯基芳族化合物的单体制备高反应性共聚物。

3.根据权利要求1或2的方法，其中乙烯基芳族化合物是苯乙烯。

4.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中镧系元素选自铈和钐。

5.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中元素周期表2和13族的金属选自镁和铝。

6.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中M选自V、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn。

7.根据权利要求6的方法，其中M是Mn。

8.根据前述权利要求中任一项的方法，其中溶剂分子L是相同或不同的，并选自式N≡C-R¹的腈，其中R¹是C₁-C₈-烷基或芳基，以及开链和环状的醚。

9.根据权利要求8的方法，其中L是式N≡C-R¹的腈，其中R¹是甲基、乙基或苯基。

10.根据前述权利要求中任一项的方法，其中Z是带电荷的单齿配体，其选自卤离子、假卤离子、羟基、亚硝酸根、醇盐和脂族或芳族单羧酸的阴离子；或是带电荷的多齿配体，其选自乙酰丙酮酸盐、EDTA和脂族或芳族的二羧酸或多羧酸的阴离子。

11.根据权利要求10的方法，其中Z是卤离子或假卤离子。

12.根据前述权利要求中任一项的方法，其中A^-选自BX₄^-，B(Ar)₄^-，式[(Ar)₃B-(μ-Y)-B(Ar)₃]^-的桥接阴离子，SbX₆^-，Sb₂X₁₁^-，AsX₆^-，As₂X₁₁^-，ReX₆^-，Re₂X₁₁^-，AlX₄^-，Al₂X₇^-，OTeX₅^-，B(OTeX₅)₄^-，Nb(OTeX₅)₆^-，[Zn(OTeX₅)₄]₂^-，OSeX₅^-，三氟甲磺酸根，高氯酸根，碳硼酸根和碳簇阴离子，其中：

Ar是苯基，任选地带有1-5个选自卤素、C₁-C₄-烷基和C₁-C₄-卤代烷基的取代基；

Y是桥接基团；和

X是氟或氯。

13.根据权利要求12的方法，其中Y选自环状桥接基团。