[发明专利]3D直通硅体系结构的集成微通道

权利要求书

1.一种用于从管芯除热的装置，包括：

衬底，包含用于冷却剂的基本上封闭的微通道；以及

导电通路，贯穿所述衬底。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述微通道包括输入和输出。

3.如权利要求1所述的装置，其中所述衬底包括用于第二冷却剂的第二微通道。

4.如权利要求1所述的装置，其中所述微通道的宽度在大约5到10微米的范围，而高度在大约50到100微米的范围。

5.一种装置，包括：

集成电路管芯，包含通孔；以及

衬底，附连到所述集成电路管芯，其中所述衬底包括第二通孔和基本上封闭的微通道，以从所述集成电路管芯除热。

6.如权利要求5所述的装置，其中所述集成电路管芯和所述衬底通过硅-硅粘结剂进行粘结。

7.如权利要求5所述的装置，其中所述衬底与所述集成电路管芯的有源表面相对。

8.如权利要求7所述的装置，还包括：

第二衬底，电连接到所述集成电路管芯的所述有源表面。

9.如权利要求7所述的装置，还包括：

第二集成电路管芯，附连到所述衬底。

10.如权利要求9所述的装置，其中所述集成电路管芯包括中央处理单元，而所述第二集成电路管芯包括第二中央处理单元。

11.如权利要求9所述的装置，其中所述集成电路管芯包括中央处理单元，而所述第二集成电路管芯包括动态随机存取存储器。

12.如权利要求11所述的装置，还包括：闪存组件，附连到所述第二集成电路管芯，其中所述第二集成电路管芯包括第三通孔。

13.一种方法，包括：

在衬底中形成深开口和浅开口；

在第二衬底中形成开口；

粘结所述衬底和所述第二衬底，其中所述深开口和所述开口基本上对准；

减薄所述衬底；以及

在所述深开口和所述开口中形成导电通孔。

14.如权利要求13所述的方法，还包括：

减薄所述第二衬底。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述第二衬底中的所述开口贯穿所述第二衬底。

16.如权利要求13所述的方法，其中所述衬底和所述第二衬底包括硅，并且其中粘结所述衬底和所述第二衬底包括硅-硅扩散粘结。

17.如权利要求13所述的方法，还包括：

切割所述衬底和所述第二衬底，其中所述衬底和所述第二衬底包括晶片。

18.如权利要求13所述的方法，其中在所述衬底中形成所述深开口和所述浅开口包括：

在所述衬底上形成第一图案；

蚀刻所述衬底由所述第一图案暴露的部分，以形成所述深开口；

在所述衬底上形成第二图案；以及

蚀刻所述衬底由所述第二图案暴露的部分，以形成所述浅开口。

19.如权利要求13所述的方法，还包括：

将所粘结的衬底和第二衬底安装到第三衬底，其中所述第三衬底包括集成电路和第二导电通孔。

20.如权利要求13所述的方法，其中在所述衬底中形成所述深开口和所述浅开口包括形成第二浅开口，其中在所述第二衬底中形成所述开口包括在所述第二衬底中形成第二开口，并且其中粘结所述衬底和所述第二衬底对准所述第二浅开口和所述第二开口，以形成微通道的输入。