[发明专利]中空二氧化硅粒子及其制备方法

权利要求书

1.用于制备含二氧化硅的中空粒子的方法，包括步骤：

制造模板粒子；

向所述模板粒子的表面提供偶联剂；

在所述模板粒子上提供含硅的化合物以沉积含二氧化硅的壳，从而在所述模板粒子上产生基本均匀的涂层；以及

通过如下方式消除所述模板粒子，首先将所述模板粒子加热至约325℃～约525℃的第一温度持续第一段时间，然后将所述粒子加热至约525℃～约900℃的第二温度持续第二段时间，由此制备二氧化硅中空粒子。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子包括聚合物材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子包括由选自苯乙烯、α-甲基苯乙烯及其混合物的单体组成的聚合物材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子是聚苯乙烯。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模板材料是在水悬浮液中，所述水悬浮液具有被调节至约8～约12的pH范围内的pH值。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括提供引发剂的步骤，所述引发剂选自过硫酸盐、有机氢过氧化物和偶氮引发剂。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子在没有表面活性剂的条件下制造。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子制造步骤进一步包括提供表面活性剂的步骤，所述表面活性剂选自烷基硫酸盐、烷基磺酸盐、线型烷基芳基磺酸盐、及其混合物。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括步骤：

向所述模板提供增容剂，所述增容剂选自苯基三烷氧基硅烷和(3-氨基丙基)三烷氧基硅烷。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述模板粒子上凝结的含硅化合物选自四烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、烷氧基硅烷、硅酸盐、胶态二氧化硅、有机硅低聚物、低聚倍半硅氧烷以及硅聚合物。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含硅化合物选自四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷和四甲氧基硅烷。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子的平均粒度在约200nm～约700nm的范围内。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子的平均粒度在约250nm～约600nm的范围内。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子通过如下方式消除：首先将所述模板粒子加热至约375℃～约475℃的第一温度约2～约6小时的第一段时间，然后将所述粒子加热至约550℃～约700℃的第二温度约2～约6小时的第二段时间。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一和第二温度是通过应用约1℃/min～约10℃/min的升温速率来获得的。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，在消除所述模板粒子之后，所获得含二氧化硅的中空粒子是白色的。

17.根据权利要求1的方法所制备的粒子。

18.一种包含根据权利要求1的方法所制备的粒子的材料，其中所述粒子基本上不能渗透十甲基环戊硅氧烷，其中所述材料不是化妆品材料。

19.用于制备含二氧化硅的中空粒子的方法，包括步骤：

制造具有约250nm～约600nm的平均粒度的模板粒子；

向所述模板粒子表面提供偶联剂；

在所述模板粒子上提供含硅的化合物以沉积含二氧化硅的壳，从而在所述模板粒子上产生基本均匀的涂层；和

通过如下方式消除所述模板粒子，首先将所述模板粒子加热至约375℃～约475℃的第一温度约2～约6小时的第一段时间，然后将所述粒子加热至约550℃～约700℃的第二温度约2～约6小时的第二段时间，由此制备二氧化硅中空粒子。