[发明专利]采用无隔离体场效应晶体管和双衬垫工艺增加应变增强的结构和方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

位于半导体衬底的表面上并且通过隔离区而相互分离的至少一p型场效应晶体管和至少一n型场效应晶体管，其中所述至少一n型场效应晶体管或所述至少一p型场效应晶体管是无隔离体场效应晶体管，各场效应晶体管包括沟道区；

位于所述无隔离体场效应晶体管的源极/漏极扩散区上方的再结晶硅化物接触，所述再结晶硅化物接触不侵占所述无隔离体场效应晶体管的侧壁的下面；和

位于所述至少一p型场效应晶体管周围的压应力引发衬垫和位于所述至少一n型场效应晶体管周围的拉应力引发衬垫，其中在所述无隔离体场效应晶体管周围的至少一应力引发衬垫位于距离对应的沟道区30nm以下之内。

2.根据权利要求1的半导体结构，其中所述半导体衬底是绝缘体上半导体衬底或大块体衬底。

3.根据权利要求1的半导体结构，其中所述至少一无隔离体场效应晶体管是无隔离体p型场效应晶体管。

4.根据权利要求1的半导体结构，其中所述至少一无隔离体场效应晶体管是无隔离体n型场效应晶体管和无隔离体p型场效应晶体管。

5.根据权利要求1的半导体结构，其中所述至少一无隔离体场效应晶体管没有宽外隔离体。

6.根据权利要求1的半导体结构，其中所述至少一无隔离体场效应晶体管包括具有从大约5至大约20nm的宽度的窄外隔离体。

7.根据权利要求1的半导体结构，其中各场效应晶体管包括位于栅极电介质顶部的栅极导体。

8.根据权利要求7的半导体结构，其中所述栅极导体包括多晶硅、多晶硅锗、金属、金属氮化物、金属硅化物或其多层。

9.根据权利要求8的半导体结构，其中所述无隔离体场效应晶体管的多晶硅或多晶硅锗栅极导体的上部包括再结晶硅化物接触。

10.一种半导体结构，包括：

位于半导体衬底的表面上并且通过隔离区而相互分离的至少一无隔离体p型场效应晶体管和至少一n型场效应晶体管，各场效应晶体管包括沟道区；

位于所述无隔离体p型场效应晶体管的源极/漏极扩散区上方的再结晶硅化物接触，所述再结晶硅化物接触不侵占所述至少一无隔离体p型场效应晶体管的侧壁的下面；

位于所述至少一无隔离体p型场效应晶体管周围的压应力引发衬垫和位于所述至少一n型场效应晶体管周围的拉应力引发衬垫，其中在所述无隔离体p型场效应晶体管周围的所述压应力引发衬垫位于距离对应的沟道区30nm以下之内。

11.根据权利要求10的半导体结构，其中所述半导体衬底是绝缘体上半导体衬底或体衬底。

12.根据权利要求10的半导体结构，其中所述至少一无隔离体p型场效应晶体管没有宽外隔离体。

13.根据权利要求10的半导体结构，其中所述至少一无隔离体p型场效应晶体管包括具有从大约5至大约20nm的宽度的窄外隔离体。

14.根据权利要求10的半导体结构，其中至少所述无隔离体p型场效应晶体管包括栅极导体，所述栅极导体具有包括再结晶硅化物接触的上表面。

15.一种半导体结构的制造方法，包括：

在包括至少一n型场效应晶体管和至少一p型场效应晶体管的结构上形成第一应力引发衬垫和覆盖的硬掩模，所述第一应力引发衬垫具有第一应力类型并且各场效应晶体管包括器件沟道、宽外隔离体和硅化的源极/漏极扩散接触；

从所述n型场效应晶体管或p型场效应晶体管之一选择性地去除所述覆盖的硬掩模，所述第一应力引发衬垫、和所有或者部分所述宽外隔离体，从而形成至少一无隔离体场效应晶体管，其中在所述第一应力引发衬垫和所述宽隔离体的去除期间，所述至少一无隔离体场效应晶体管的所述硅化的源极/漏极扩散接触被非晶化；

退火所述结构，从而再结晶所述至少一无隔离体场效应晶体管的所述非晶化的硅化的源极/漏极扩散接触；并且

选择性地提供与所述第一应力类型不同的第二应力类型的第二应力引发衬垫至所述至少一无隔离体场效应晶体管，其中所述第二应力引发衬垫位于距离所述至少一无隔离体场效应晶体管的沟道区30nm以下之内。