[发明专利]光电子半导体芯片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200680035818.0 申请日: 2006-09-04
公开(公告)号: CN101273470A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 克劳斯·施特罗伊贝尔 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 李春晖;李德山
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 光电子 半导体 芯片 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光电子半导体芯片(12),具有:

薄膜半导体本体(8),其包括具有适于产生辐射的有源区(3)的半导体层序列(2,20);以及

构建在半导体层序列上的、使薄膜半导体本体机械稳定的支承层(7)。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,支承层(7)自支承地构建。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体芯片,其特征在于,支承层(7)具有的厚度在10μm到500μm之间,包括端点;优选在50μm到200μm之间,包括端点。

4.根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片,其特征在于,支承层(7)不同于如下的生长衬底(1):在该生长衬底上外延地生长用于薄膜半导体本体(8)的半导体层序列(2,20)。

5.根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片,其特征在于,支承层(7)是绝缘的。

6.根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片,其特征在于,支承层(7)对有源区(3)中产生的辐射起吸收作用。

7.根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片,其特征在于,支承层(7)沉积在用于薄膜半导体本体(8)的半导体层序列(2,20)上。

8.根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片,其特征在于,支承层(7)实施为陶瓷层、多晶层或者不定形层。

9.根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片,其特征在于,支承层(7)含有氮化铝或者氧化铝。

10.根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片,其特征在于,支承层(7)具有多层结构。

11.根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片,其特征在于,在支承层(7)与薄膜半导体本体(8)之间设置含有金属的层(6),尤其是基于金属或者基于合金的层。

12.根据权利要求11所述的半导体芯片,其特征在于,含有金属的层(6)构建为对有源区(3)中产生的辐射的反射层。

13.根据权利要求11或者12所述的半导体芯片,其特征在于,含有金属的层(6)实施为用于电接触半导体芯片(12)的接触层。

14.根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片,其特征在于,半导体芯片(10)、尤其是半导体层序列(2,20)和/或有源区(3)含有至少一种III-V-化合物半导体材料,或者基于III-V-化合物半导体材料。

15.根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片,其特征在于,半导体芯片(12)实施为不带有谐振器的、用于产生非相干辐射的芯片。

16.根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片,其特征在于,半导体芯片(12)实施为LED芯片。

17.一种用于制造光电子半导体芯片(12)的方法,具有以下步骤:

-提供用于半导体芯片的半导体本体(8)的、设置在衬底(1)上的半导体层序列(2,20),其中半导体层序列具有适于产生辐射的有源区(3),

-在半导体层序列上构建支承层(7),以及

-去除衬底。

18.根据权利要求17所述的方法,其特征在于,支承层(7)构建在半导体层序列(2,20)的与衬底(1)背离的侧上。

19.根据权利要求17或者18所述的方法,其特征在于,支承层(7)借助薄层方法构建在半导体层序列(2,20)上。

20.根据权利要求17至19中至少一项所述的方法,其特征在于,支承层(7)借助沉积方法沉积在半导体层序列(2,20)上。

21.根据权利要求17至20中至少一项所述的方法,其特征在于,支承层(7)借助PVD方法或者CVD方法沉积在半导体层序列(2,20)上。

22.根据权利要求17至21中至少一项所述的方法,其特征在于,借助溅射、尤其是反应溅射,或者借助激光支持的方法、如使用脉冲激光情况下的沉积方法,或者借助蒸发,将支承层(7)沉积在半导体层序列(2,20)上。

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