[发明专利]用于微电子元件的电路小片级封装的热导性热塑性塑料无效
| 申请号: | 200680035815.7 | 申请日: | 2006-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN101496163A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
| 发明(设计)人: | 占姆士·D·米勒 | 申请(专利权)人: | 库尔选项公司 |
| 主分类号: | H01L23/28 | 分类号: | H01L23/28;H01L23/29 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孟 锐 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 微电子 元件 电路 小片 封装 热导性热 塑性 塑料 | ||
1.一种用于微电子元件的电路小片级封装的组合物,其包含:
约20%到约80%的热塑性塑料基础聚合物基质;
约20%到约70%的非金属热导性材料;
所述组合物具有小于20ppm/C的热膨胀系数和大于1.0W/mK的热导率。
2.根据权利要求1所述的组合物,其中所述组合物包含约30%到约65%的所述非金属热导性材料。
3.根据权利要求1所述的组合物,其中所述非金属热导性材料是六方氮化硼。
4.根据权利要求3所述的组合物,其中所述六方氮化硼具有D50为约10微米到约50微米的粒度。
5.根据权利要求3所述的组合物,其中所述六方氮化硼具有少于0.6%的O2。
6.根据权利要求3所述的组合物,其中所述六方氮化硼具有少于0.06%的B2O3。
7.根据权利要求3所述的组合物,其中所述六方氮化硼具有在约0.3m2/g到约5m2/g之间的表面积。
8.根据权利要求1所述的组合物,其中所述热塑性塑料基础聚合物基质选自基本上由以下各项组成的群组:LCP、PPS、PEEK、聚酰亚胺和聚酰胺。
9.根据权利要求1所述的组合物,其中所述组合物具有小于15ppm/C的热膨胀系数。
10.根据权利要求1所述的组合物,其中所述组合物具有小于10ppm/C的热膨胀系数。
11.根据权利要求1所述的组合物,其中所述组合物具有大于1.5W/mK的热导率。
12.根据权利要求1所述的组合物,其中所述组合物具有大于2.0W/mK的热导率。
13.根据权利要求1所述的组合物,其进一步包含约3%到约25%的增强材料。
14.根据权利要求13所述的组合物,其中所述增强材料包含玻璃纤维。
15.一种微电子元件的电路小片级封装的方法,其包含下列步骤:
a)提供熔融组合物,其包含:i)约20重量%到约80重量%的热塑性塑料基础聚合物基质,和ii)约20重量%到约70重量%的非金属热导性材料;所述组合物具有小于20ppm/C的热膨胀系数和大于1.0W/mK的热导率;
b)提供需要由所述熔融组合物包封的微电子元件,所述微电子元件被牢固地保持在电路小片内;
c)将所述熔融组合物注入到所述电路小片中;和
d)从所述电路小片中移除所述微电子元件。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述组合物包含约30%到约65%的所述非金属热导性材料。
17.根据权利要求15所述的方法,其中所述非金属热导性材料是六方氮化硼。
18.根据权利要求17所述的组合物,其中所述六方氮化硼具有D50为约10微米到约50微米的粒度。
19.根据权利要求17所述的组合物,其中所述六方氮化硼具有少于0.6%的O2。
20.根据权利要求17所述的组合物,其中所述六方氮化硼具有少于0.06%的B2O3。
21.根据权利要求17所述的组合物,其中所述六方氮化硼具有在约0.3m2/g到约5m2/g之间的表面积。
22.根据权利要求15所述的方法,其中所述热塑性塑料基础聚合物基质选自基本上由以下各项组成的群组:LCP、PPS、PEEK、聚酰亚胺和聚酰胺。
23.根据权利要求15所述的方法,其中所述组合物具有小于15ppm/C的热膨胀系数。
24.根据权利要求15所述的方法,其中所述组合物具有小于10ppm/C的热膨胀系数。
25.根据权利要求15所述的方法,其中所述组合物具有大于1.5W/mK的热导率。
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