[发明专利]热固化性树脂及含有它的热固化性组合物以及由其得到的成形体有效
申请号: | 200680035809.1 | 申请日: | 2006-09-25 |
公开(公告)号: | CN101273081A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 江口勇司;土山和夫;石田初男 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | C08G73/06 | 分类号: | C08G73/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固化 树脂 含有 组合 以及 得到 成形 | ||
技术领域
本发明涉及在具有低介电常数、低介电损耗的优良的介电特性的同时还兼具优良的耐热性以及柔软性的热固化性树脂及含有它的热固化性组合物以及由其得到的成形体、固化体、固化成形体、电子机器用基板材料及电子机器。
背景技术
以往,酚醛树脂、蜜胺树脂、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、双马来酰亚胺树脂等热固化性树脂由于基于其热固化性这样的性质,在耐水性、耐药品性、耐热性、机械强度、可靠性等方面优良,因此被用于广泛的产业领域中。
但是,它们具有如下等缺点,即,酚醛树脂及蜜胺树脂在固化时会产生挥发性的副产物,环氧树脂及不饱和聚酯树脂的阻燃性差,双马来酰亚胺树脂非常昂贵。
为了消除这些缺点,研究过在分子中含有二氢苯并噁嗪环结构的二氢苯并噁嗪化合物及在主链中含有二氢苯并噁嗪环结构的二氢苯并噁嗪聚合物。(以下将上述二氢苯并噁嗪化合物和二氢苯并噁嗪聚合物简称为苯并噁嗪聚合物。)
上述苯并噁嗪聚合物中,由于聚合物中的二氢苯并噁嗪环发生开环聚合反应,因此热固化时不会伴随成为问题的挥发成分的产生。
苯并噁嗪聚合物除了如上所述的热固化性树脂所具有的基本的特征以外,还是具有在保存性方面优良,熔融时粘度比较低,分子设计的自由度大等各种优点的树脂。
另外,为了应对近年来的电子机器·部件的高密度化(小型化)及传递信号的高速化,要求利用介电特性的改善(低介电常数化及低介电损耗化)来实现的信号传递速度或高频特性的提高。
另外,作为电子机器用基板材料,除了低介电常数化、低介电损耗化以外,还需要同时满足能够经受焊锡接合的耐热性、能够经受由内部应变或外部应力等造成的裂纹产生的柔软性。
作为具有此种优良的介电特性的热固化性树脂的原材料,已知以下述式(1)或式(2)表示的苯并噁嗪聚合物(例如参照非专利文献1及2)。
[化1]
式(1)
[化2]
式(2)
该苯并噁嗪聚合物的苯并噁嗪环开环聚合而得的树脂在热固化时不会有伴随着挥发成分的产生的情况,另外在阻燃性或耐水性方面也很出色。
另外,还提出过具有二氢苯并噁嗪环结构的热固化性树脂(参照专利文献1、2)、以芳基取代了的苯并噁嗪(参照非专利文献3)、聚苯并噁嗪前驱体(参照非专利文献4)等。
专利文献1:特开平8-183835号公报
专利文献2:特开2003-64180号公报
非专利文献1:小西化学工业株式会社主页[平成17年7月29日检索]、互联网<URL:http://www.konishi-chem.co.jp/cgi-data/jp/pdf/pdf_2.pdf>
非专利文献2:四国化成工业株式会社主页[平成17年7月29日检索]、互联网<URL:http://www.shikoku.co.jp/chem/labo/benzo/main.html>
非专利文献3:“The curing reaction of 3-aryl substituted benzoxazine”High Perform.Polym.12(2000)237-246.
非专利文献4:“Synthesis and thermal cure of high molecular weightpolybenzoxazine precursors and the properties of the thermosets”、[Availableonline 8 November 2005]、互联网<URL:1159164768086_0>
但是,上述以往的苯并噁嗪聚合物虽然如上所述,在热固化性树脂当中介电特性出色,但是对应于最近的电子机器·部件的进一步的高性能化,期望更高的介电特性。例如,对于构成存储器或逻辑处理器等IC的封装件的多层基板的树脂材料,在非专利文献1中公布有介电常数为4.4的材料,另外在非专利文献2中公布有介电常数为3.44、介电损耗角正切为0.0066的苯并噁嗪树脂,但是希望有更好的低介电常数材料及低介电损耗角正切材料。
另外,如果从今后预测的技术动向考虑,则有要求更低的介电损耗的倾向。即,由于介电损耗通常有与频率和材料的介电损耗角正切正比例的倾向,而电子机器·部件中所用的频率有逐渐提高的倾向,因此对于介电损耗角正切低的材料的要求进一步提高。
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