[发明专利]Ⅲ－Ⅴ发光器件有效
| 申请号： | 200680035651.8 | 申请日： | 2006-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101273469A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | M·R·克拉梅斯;N·F·加德纳;J·E·埃普勒 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李静岚;谭祐祥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
1.一种结构，包括：
n型区；
p型区；以及
布置在n型区和p型区之间的III-氮化物发光层，其中所述III-氮化物发光层具有大于3.19的晶格常数。
2.如权利要求1所述的结构，其中所述III-氮化物发光层具有应变。
3.如权利要求1所述的结构，还包括衬底，所述衬底包括：
基质；以及
与所述基质粘结的III-氮化物种子层，其中所述III-氮化物种子层具有大于3.19的晶格常数；
其中所述n型区、p型区以及发光层在所述III-氮化物种子层上生长。
4.如权利要求3所述的结构，其中所述种子层是InGaN。
5.如权利要求1所述的结构，其中所述发光层具有大于3.2的晶格常数。
6.如权利要求5所述的结构，其中所述发光层被配置为发射峰值波长在430和480纳米之间的光。
7.如权利要求1所述的结构，其中所述发光层具有大于3.22的晶格常数。
8.如权利要求7所述的结构，其中所述发光层被配置为发射峰值波长在480和520纳米之间的光。
9.如权利要求1所述的结构，其中所述发光层具有大于3.23的晶格常数。
10.如权利要求9所述的结构，其中所述发光层被配置为发射峰值波长在520和560纳米之间的光。
11.如权利要求1所述的结构，还包括与n型区和p型区电连接的触点。
12.一种结构，包括：
n型区；
p型区；以及
布置在n型区和p型区之间的III-氮化物发光层，所述发光层具有晶格常数aatual；
其中：
具有与发光层相同组成的松弛、自立层具有晶格常数afreestanding；
(afreestanding-aactual)/afreestanding小于1％；并且
所述发光层被配置为发射具有在430和480纳米之间的峰值波长的光。
13.如权利要求12所述的结构，其中(afreestanding-aactyal)/afreestanding小于0.5％。
14.如权利要求12所述的结构，还包括：
与n型区电连接的第一触点；以及
与p型区电连接的第二触点。
15.如权利要求14所述的结构，其中：
n型区、p型区和发光层都包括在半导体结构中；
第一和第二触点之一在半导体结构的顶部上形成；并且
第一和第二触点的另一个在半导体结构的底部上形成。
16.如权利要求14所述的结构，其中：
n型区、p型区和发光层都包括在半导体结构中；并且
第一和第二触点都在半导体结构的同一侧上形成。
17.一种结构，包括：
n型区；
p型区；以及
布置在n型区和p型区之间的III-氮化物发光层，所述发光层具有晶格常数aactual；
其中：
具有与发光层相同组成的松弛、自立层具有晶格常数afreestanding；
(afreestanding-aactual)/afreestanding小于1.5％；并且
所述发光层被配置为发射具有在480和520纳米之间的峰值波长的光。
18.如权利要求17所述的结构，其中(afreestanding-aactual)/afreestanding小于1％。
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