[发明专利]存储器存取无效
| 申请号: | 200680035348.8 | 申请日: | 2006-07-19 |
| 公开(公告)号: | CN101273412A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
| 发明(设计)人: | 鲁塞尔·P·考伯恩;丹·奥尔伍德 | 申请(专利权)人: | 英根亚技术有限公司 |
| 主分类号: | G11C13/02 | 分类号: | G11C13/02;G11C11/16 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储器 存取 | ||
1.一种磁性逻辑设备,包括:
用于电学电路的大致平面的第一衬底;
在第一衬底上以层叠排列形成、用于磁性电路的多个大致平面的第二衬底;
每个所述第二衬底具有形成于其上的磁性电路;
每个磁性电路具有多个逻辑元件,数据写入元件和数据读出元件;
其中每个磁性电路的数据写入元件在平面定位方面对应于第一衬底的各个磁电写入元件;以及
其中每个磁性电路的数据读出元件在平面定位方面对应于第一衬底的各个磁电读出元件。
2.根据权利要求1的磁性逻辑设备,其中磁性逻辑元件包括至少一个数据存储元件。
3.根据权利要求1或2的磁性逻辑设备,其中各个第二衬底由非铁磁层分离。
4.根据权利要求3的磁性逻辑设备,其中非铁磁层包括选自电介质材料、聚合物材料和非铁磁金属材料的材料。
5.根据任何一个前面权利要求的磁性逻辑设备,其中每个所述第二衬底具有形成于其上的多个磁性电路。
6.根据任何一个前面权利要求的磁性逻辑设备,其中磁性电路由磁性材料的纳米线形成。
7.根据权利要求5的磁性逻辑设备,其中每个逻辑元件由纳米线之间的连接形成。
8.根据任何一个前面权利要求的磁性逻辑设备,其中数据写入元件和数据读出元件是物理单个元件。
9.根据任何一个前面权利要求的磁性逻辑设备,还包括产生用于驱动磁性电路的旋转磁场的磁场发生器。
10.根据权利要求9的磁性逻辑设备,其中磁场发生器可操作以在顺时针和/或逆时针方向上产生磁场。
11.根据任何一个前面权利要求的磁性逻辑设备,其中数据写入元件包括逻辑NOT门的放大残端。
12.根据任何一个前面权利要求的磁性逻辑设备,其中数据写入元件包括矫顽性低于相邻电路部分的电路部分。
13.根据权利要求12的磁性逻辑设备,其中形成矫顽性低于相邻电路部分的电路部分具有与相邻电路部分不同的几何形状。
14.根据任何一个前面权利要求的磁性逻辑设备,其中磁性电路还包括擦除部分。
15.根据权利要求14的磁性逻辑设备,其中擦除部分在平面定位方面对应于第一衬底的各个电气擦除部分。
16.根据任何一个前面权利要求的磁性逻辑设备,其中第一个第二衬底中磁性电路的写入部分和读出部分从第二个第二衬底中磁性电路的写入部分和读出部分偏移。
17.根据任何一个前面权利要求的磁性逻辑设备,其中磁性电路的磁性取决于电路的物理几何形状。
18.一种包括根据任何一个前面权利要求的磁性逻辑设备的数据存储设备。
19.一种磁性电路设备,包括:
以层叠排列形成的多个大致平面的衬底,每个所述衬底具有形成于其上的磁性电路;
每个磁性电路具有多个逻辑元件,数据写入元件和数据读出元件;
其中每个磁性电路的数据写入元件在平面定位方面对应于各个磁电写入元件的预期位置;以及
其中每个磁性电路的数据读出元件在平面定位方面对应于各个磁电读出元件的预期位置。
20.根据权利要求19的磁性电路设备,其中各个第二衬底由非铁磁层分离。
21.根据权利要求20的磁性电路设备,其中非铁磁层包括选自电介质材料、聚合物材料和非铁磁金属材料的材料。
22.根据权利要求19-21的任何一个的磁性电路设备,其中每个所述第二衬底具有形成于其上的多个磁性电路。
23.根据权利要求19-22的任何一个的磁性电路设备,其中磁性电路由磁性材料的纳米线形成。
24.根据权利要求19-23的任何一个的磁性电路设备,其中数据写入元件和数据读出元件是物理单个元件。
25.根据权利要求19-24的任何一个的磁性电路设备,其中每个磁性电路可操作以由旋转磁场驱动。
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