[发明专利]通过溅射沉积涂层的方法

权利要求书

1.通过由溅射靶进行溅射在衬底上沉积涂层的方法，所述溅射靶包括主要组分和掺杂元素作为溅射材料，其中在溅射过程中加热所述衬底以获得基本上不含有所述掺杂元素的涂层。

2.根据权利要求1的方法，其中在溅射过程中加热所述衬底到高于200℃的温度。

3.根据权利要求1或2的方法，其中所述方法包括所述掺杂元素的升华和/或蒸发或包括在溅射过程中所述掺杂元素的反应产物的升华和/或蒸发。

4.根据在前任一权利要求的方法，其中在溅射过程中加热所述衬底到高于所述掺杂元素升华和/或蒸发温度的温度。

5.根据在前任一权利要求的方法，其中所述溅射是DC或脉冲DC溅射。

6.根据在前任一权利要求的方法，其中所述溅射材料具有低于15000Ωm的电阻率。

7.根据在前任一权利要求的方法，其中所述溅射材料具有低于6000Ωm的电阻率。

8.根据在前任一权利要求的方法，其中所述掺杂元素或所述掺杂元素的所述反应产物在真空中具有低于700℃的升华温度。

9.根据在前任一权利要求的方法，其中所述掺杂元素选自银、锡、锌、铋和锑。

10.根据在前任一权利要求的方法，其中所述掺杂元素在所述溅射材料中的浓度为1-50重量％。

11.根据在前任一权利要求的方法，其中所述主要组分选自金属、金属合金、氧化物、氮化物和其混合物。

12.根据在前任一权利要求的方法，其中所述主要组分选自铈氧化物、铝氧化物、锂钴氧化物、铬氧化物、铟氧化物、钛氧化物、Li PON和钛酸锶钡。

13.包括溅射材料的溅射靶，所述溅射材料包括不具有电导性或具有低电导性的主要组分和半导电或导电的掺杂元素，所述主要组分和所述的掺杂元素以一定浓度存在以赋予溅射材料低于15000Ωm的电阻率，其中当在溅射过程中使用所述溅射靶时所述掺杂元素或所述掺杂元素的反应产物在真空中升华和/或蒸发。

14.根据权利要求13的溅射靶，其中所述电阻率低于6000Ωm。

15.根据权利要求13或14的溅射靶，其中所述电阻率低于1200Ωm。

16.根据权利要求13-15中任一项的溅射靶，其中所述电阻率低于120Ωm。

17.根据权利要求13-16中任一项的溅射靶，其中所述溅射靶适用于DC或脉冲DC溅射过程。

18.根据权利要求13-17中任一项的溅射靶，其中所述掺杂元素或所述掺杂元素的所述反应产物在真空中具有低于700℃的升华温度。

19.根据权利要求13-18中任一项的溅射靶，其中所述掺杂元素选自银、金、锑、铋和锡。

20.根据权利要求13-19中任一项的溅射靶，其中所述掺杂元素在所述溅射材料中的浓度为1-50重量％。

21.根据权利要求13-20中任一项的溅射靶，其中所述主要组分选自金属、金属合金、氧化物、氮化物和其混合物。

22.根据权利要求13-21中任一项的溅射靶，其中所述主要组分选自锆氧化物、稳定的锆氧化物、铈氧化物、铝氧化物、锂钴氧化物、锌氧化物、铬氧化物、铟氧化物和钛氧化物。