[发明专利]可变色发光器件及其控制方法无效
| 申请号: | 200680034434.7 | 申请日: | 2006-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN101268554A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
| 发明(设计)人: | C·J·加林克;G·H·M·范塔特威克;C·G·A·霍伦 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李亚非;刘红 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 变色 发光 器件 及其 控制 方法 | ||
1、一种可变色发光器件(10),包括用于发光的发光二极管(12),所述二极管包括多个导电层(14、16、18),其中至少一个使得二极管中的横向电流扩展被限制以便形成至少两个可独立电寻址的段(36),用于实现任选数目的段的发光,其中这些数目的段中的至少一个设置有波长转换器(34),该波长转换器(34)适于转换从其相关段发出的至少部分的光以产生特定原色的光。
2、根据权利要求1的可变色发光器件,其中所述二极管包括设置在N型层(16)和P型层(18)之间的单个连续有源层(14)。
3、根据权利要求2的可变色发光器件,其中所述至少两个可独立电寻址的段共享相同的单个连续有源层。
4、根据前述任一权利要求的可变色发光器件,其中所述二极管包括至少一个高阻抗区(40),所述至少一个高阻抗区的延伸部分限定了所述段。
5、根据权利要求4的可变色发光器件,其中所述至少一个高阻抗区结合在所述P型层中。
6、根据权利要求4的可变色发光器件,其中所述至少一个高阻抗区结合在所述N型层中。
7、根据权利要求4的可变色发光器件,其中所述至少一个高阻抗区结合在所述有源层以及所述P型层和N型层中至少一个中。
8、根据权利要求2的可变色发光器件,其中将电接触(28)连接到P型层,并且其中所述P型层的厚度使得在二极管中的横向电流扩展受限,由此通过该接触和P型层之间的接触区域来限定所述段。
9、根据权利要求1的可变色发光器件,其中所述二极管是单片生长的。
10、根据权利要求1的可变色发光器件,其中该至少一个波长转换器与二极管机械且光学接触。
11、一种可变色照明系统(50),包括:
根据权利要求1-10其中任一所述的至少一个可变色发光器件(10),以及
至少一个控制器(52),每个控制器耦合到至少一个可变色发光器件并且能够改变其相关的发光器件的每个段的照明强度,以便响应输入控制信号(54)产生希望得到的混合颜色。
12、一种可变色照明系统网络(64),包括
多个根据权利要求11的可变色发光系统(50),其控制器在网络中耦合在一起,以及
中央处理器(60),用于基于来自用户接口(62)的指令通过所述网络向控制器提供输入控制信号。
13、一种可变色发光器件组件,包括多个根据权利要求1-10其中任一所述的可变色发光器件(10),其中在发光器件之一中负责发出特定原色的光并且与任何波长转换器相组合的段与在至少一个其它发光器件中负责发射相同原色光的段或多个段串联连接。
14、一种用于可变色照明系统的控制器(52),该系统包括至少一个根据权利要求1-10其中任一所述的可变色发光器件(10),其中该控制器耦合到可变色发光器件的至少一个上,并且适于改变其相关的发光器件的每个段的照明强度,以便响应于输入控制信号(54)产生希望得到的混合颜色。
15、一种用于控制根据权利要求1-10其中任一所述的可变色发光器件(10)的方法,该方法包括:
改变发光器件的每个段的照明强度,以便响应于输入控制信号(54)产生希望得到的混合颜色。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





