[发明专利]具有改善的编程速率的多位快闪存储装置

权利要求书

1.一种对于包含存储单元(201)的阵列(102)的非易失性存储装置(100)编程的方法，其中每个存储单元(201)包含具有至少两个电荷储存区(432，433)、用于储存至少两个独立电荷的电荷储存元件(322)，该方法包括下列步骤：

指定多个存储单元(201)作为高速存储单元(802)；

预先调整该高速存储单元的状况，以将该至少两个电荷储存区的其中第一个电荷储存区设置为编程状态(804)；

设定关联于高速存储单元(808)的状态位；

接收编程命令以编程高速存储单元(902)；以及

编程该高速存储单元，以将该至少两个电荷储存区的其中第二个电荷储存区设置为编程状态(904)，并通过读取关联状态位的逻辑值而触发高速存储单元(802)的编程。

2.如权利要求1所述的方法，其中编程该高速存储单元进一步包含施加编程脉冲至该高速存储单元(904)。

3.如权利要求2所述的方法，进一步包括：

验证该高速存储单元已被编程(906)。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

指定该高速存储单元为正常模式存储单元(1002)；

擦除该高速存储单元，以将用于每个该高速存储单元的该至少两个电荷储存区的其中该第一个电荷储存区设置为非编程状态(1004)；以及

重设关联于该高速存储单元的状态位(1008)。

5.如权利要求1所述的方法，其中该存储单元包含多重的存储单元的128兆位区块，该方法进一步包括：

指定至少一个的存储单元的区块为存储单元的高速区块(802)；以及

预先调整该至少一个的高速存储单元的区块的状况，以将用于该至少一个的高速存储单元的区块中的每个存储单元的该至少两个电荷储存区的其中该第一个电荷储存区设置为编程状态(804)。

6.一种对包含非易失性存储单元(201)的阵列(102)的存储装置(100)编程的方法，每个存储单元(201)包含具有两个电荷储存区(432，433)以用于储存两个独立电荷的电荷储存元件(322)，该方法包括下列步骤：

将非易失性双位存储单元(201)的该阵列(102)配置为一个或多个的存储单元的区块；

接收请求以使用至少一个的存储单元(201)的区块作为高速区块(802)；

预先调整在该高速区块中的该存储单元(201)的状况，以将用于该高速区块中的每个存储单元(201)的该至少两个电荷储存区(432，433)的其中第一个电荷储存区设置为编程状态(804)；

设定关联于该高速区块的状态位以指示该区块是高速区块(808)；

接收请求以编程在该高速区块(902)中的一个或多个存储单元(201)；

施加编程脉冲至该被请求的存储单元(201)，以将用于每个被请求的存储单元(201)的该至少两个电荷储存区(432，433)的其中第二个电荷储存区设置为编程状态(904)，并通过读取关联状态位的逻辑值而触发该存储单元(201)的高速区块(802)的编程；以及

验证在该高速区块中的该存储单元(201)已被编程(906)。

7.如权利要求6所述的方法，包括：

接收请求以在该高速区块与另一区块之间传送数据；以及

将该数据从用于该高速区块中的每个存储单元(201)的该至少两个电荷储存区(432，433)的其中第二个电荷储存区转移至在该另一区块中的存储单元(210)中的该第一或第二电荷储存区(432，433)中的任何一个。

8.如权利要求6所述的方法，包括：

接收请求以将该高速区块返回至正常模式区块(1002)；

施加擦除脉冲至该高速区块中的每个存储单元(201)以将该第一和第二电荷储存区(432，433)均设置为非编程状态(1004)；以及

重设该状态位以指示该区块为正常模式区块(1008)。