[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光器件，包括层叠在镀敷层上的至少欧姆接触层、p型氮化物半导体层、氮化物半导体发光层和n型氮化物半导体层，

其中在所述欧姆接触层与所述镀敷层之间形成镀敷粘着层，并且

所述镀敷粘着层由包括50质量％或更大的与包含在所述镀敷层中的合金的主要成分相同的成分的合金构成。

2.根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中所述镀敷层的厚度在10μm至200μm的范围内。

3.根据权利要求1或2的氮化物半导体发光器件，其中所述镀敷层由NiP合金构成。

4.根据权利要求1或2的氮化物半导体发光器件，其中所述镀敷层由Cu或Cu合金构成。

5.根据权利要求3的氮化物半导体发光器件，其中所述镀敷粘着层由NiP合金构成。

6.根据权利要求4的氮化物半导体发光器件，其中所述镀敷粘着层由Cu或Cu合金构成。

7.根据权利要求1或2的氮化物半导体发光器件，其中所述镀敷粘着层的厚度在0.1nm至2μm的范围内。

8.根据权利要求1或2的氮化物半导体发光器件，其中所述欧姆接触层由选自Pt、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Ag及其合金的至少一者构成。

9.根据权利要求1或2的氮化物半导体发光器件，其中所述欧姆接触层的厚度在0.1nm至30nm的范围内。

10.根据权利要求1或2的氮化物半导体发光器件，其中在所述欧姆接触层上形成由Ag、Al或其合金构成的反射层。

11.一种制造氮化物半导体发光器件的方法，包括以下步骤：

使至少缓冲层、n型氮化物半导体层、氮化物半导体发光层、p型氮化物半导体层、欧姆接触层、镀敷粘着层和镀敷层依此顺序层叠在由氧化物单晶或半导体单晶构成的衬底上；

此后，去除所述衬底和所述缓冲层；以及

然后形成电极。

12.根据权利要求11的制造氮化物半导体发光器件的方法，其中通过溅射方法形成所述镀敷粘着层。

13.根据权利要求11或12的制造氮化物半导体发光器件的方法，其中通过电解镀敷方法形成所述镀敷层。

14.根据权利要求11或12的制造氮化物半导体发光器件的方法，其中通过电解镀敷方法形成所述镀敷层。

15.根据权利要求11或12的制造氮化物半导体发光器件的方法，其中在形成所述镀敷层之后，在范围在100℃至300℃的温度下加热所获得的产品。