[发明专利]用于成像器的埋入式导体

权利要求书

1.一种像素单元，其包括：

光电转换装置，其位于衬底的表面处；

多个晶体管，其每一个包括栅极和源极/漏极区域；

第一绝缘层和第二绝缘层，其与所述源极/漏极区域接触，所述第一绝缘层与所述光电转换装置的表面接触，所述第一绝缘层和第二绝缘层包括原硅酸四乙酯，其中所述第一绝缘层和第二绝缘层两者均覆盖在所述光电转换装置上，而仅仅所述第二绝缘层覆盖在所述源极/漏极区域的除位于栅极堆叠的侧壁及所述侧壁上的侧壁隔离物之外的部分上；

所述第一绝缘层和第二绝缘层具有在所述源极/漏极区域中的一个的一部分上的开口；

至少一个导体，其穿过所述开口且与所述开口下的所述源极/漏极区域中的至少一个直接接触，其中所述至少一个导体包括含多晶硅材料；

导电材料，其在所述含多晶硅材料之上且与其相接触，所述导电材料包括硅化物和难熔金属中的至少一者；

第三绝缘层，其与所述第二绝缘层接触，所述第三绝缘层包括硼磷硅酸盐玻璃、二氧化硅、硼硅酸盐玻璃、和磷硅酸盐玻璃；以及

第四绝缘层，其与所述第三绝缘层接触，所述第四绝缘层包括硼磷硅酸盐玻璃、二氧化硅、硼硅酸盐玻璃、和磷硅酸盐玻璃。

2.根据权利要求1所述的像素单元，其中所述导电材料包括硅化物。

3.根据权利要求2所述的像素单元，其中所述导电材料包括选自由以下各物组成的群组的硅化物：硅化钨、硅化钛、硅化钴、硅化钼和硅化钽。

4.根据权利要求1所述的像素单元，其中所述导电材料包括势垒金属/难熔金属层。

5.根据权利要求4所述的像素单元，其中所述导电材料包括氮化钨/钨层。

6.根据权利要求4所述的像素单元，其中所述导电材料包括氮化钛/钨层。

7.根据权利要求1所述的像素单元，其中所述导电材料包括氮化钨层。

8.根据权利要求1所述的像素单元，其中所述含多晶硅材料具有与所述第三绝缘层的顶表面在同一平面上的顶表面。

9.根据权利要求1所述的像素单元，其中所述含多晶硅材料的顶表面在所述第三绝缘层的顶表面上。

10.根据权利要求1所述的像素单元，其进一步包括多个源极/漏极区域和多个导体，每个导体与各自的源极/漏极区域接触。

11.根据权利要求1所述的像素单元，其中所述第一绝缘层与所述第二绝缘层包括相同的材料。

12.一种像素单元，其包括：

光电转换装置，其位于衬底的表面处；

第一晶体管，其耦合到所述光电转换装置，所述第一晶体管具有浮动扩散区；

第一绝缘层和第二绝缘层，其在所述光电转换装置和所述浮动扩散区上，所述第一绝缘层和第二绝缘层包括原硅酸四乙酯，其中所述第一绝缘层和第二绝缘层两者均覆盖在所述光电转换装置上，而仅仅所述第二绝缘层覆盖在所述浮动扩散区的除位于栅极堆叠的侧壁及所述侧壁上的侧壁隔离物之外的部分上；以及

第一导体，其与所述浮动扩散区接触，所述导体包括：

含多晶硅材料，其延伸穿过所述第一绝缘层和第二绝缘层以接触所述浮动扩散区。

13.根据权利要求12所述的像素单元，其中导电材料在所述含多晶硅材料上并与其接触，所述导电材料包括硅化物和难熔金属中的至少一者。