[发明专利]MEMS谐振器阵列结构及其操作和使用方法

权利要求书

1.一种MEMS阵列结构，包括：

多个MEMS谐振器，每个MEMS谐振器都包括：

多个拉长直梁段，其中每个梁段都包括第一端和第二端；

多个弯曲段，其中每个弯曲段都包括第一端和第二端，其中梁段的每一端都与所述弯曲段之一的有关的端连接，从而形成一个几何形状；以及

一个或多个谐振器耦合段，其中至少一个谐振器耦合段被布置在相邻MEMS谐振器相对的拉长直梁段中的每一个之间。

2.如权利要求1所述的MEMS阵列结构，其中所述多个MEMS谐振器中至少一个的至少一个弯曲段包括波节点，并且其中所述MEMS阵列结构还包括：

至少一个锚耦合段；以及

基底锚，通过所述锚耦合段耦合到所述波节点，以便将所述MEMS谐振器固定到基底。

3.如权利要求2所述的MEMS阵列结构，还包括布置在所述锚耦合段内，并且在所述基底锚和所述波节点之间的应力/应变缓解机构。

4.如权利要求1所述的MEMS阵列结构，其中每个MEMS谐振器都包括四个拉长直梁段和四个弯曲段，并且其中所述几何形状是圆角正方形。

5.如权利要求1所述的MEMS阵列结构，其中每个MEMS谐振器的至少一个弯曲段包括波节点，并且其中所述MEMS阵列结构还包括布置在有关的波节点和基底锚之间的至少一个锚耦合段，并且其中所述基底锚将所述MEMS谐振器牢固地固定到基底。

6.如权利要求5所述的MEMS阵列结构，还包括布置在所述锚耦合段内，并且在所述基底锚和所述波节点之间的应力/应变缓解机构。

7.如权利要求1所述的MEMS阵列结构，其中每个谐振器耦合段都包括孔隙来减小所述段的质量。

8.如权利要求1所述的MEMS阵列结构，其中，对于每个谐振器耦合段而言，相应的谐振器耦合段包括所述相应的谐振器耦合段的端处的加厚形状，从而使所述相应的谐振器耦合段的所述端具有比所述相应的谐振器耦合段的中部更大的宽度。

9.如权利要求1所述的MEMS阵列结构，其中每个MEMS谐振器的每个弯曲段都包括至少一个波节点。

10.如权利要求9所述的MEMS阵列结构，其中所述MEMS阵列结构还包括：

一个或多个基底锚；以及

对于每个MEMS谐振器、所述MEMS谐振器的所述波节点中的至少一个中的每一个而言，有关的锚耦合段，相应的波节点通过所述有关的锚耦合段连接到所述一个或多个基底锚中的一个，相应的MEMS谐振器由此牢固地固定到基底。

11.如权利要求10所述的MEMS阵列结构，还包括布置在有关的锚耦合段内，并且在有关的基底锚和有关的波节点之间的多个应力/应变缓解机构。

12.如权利要求1所述的MEMS阵列结构，其中每个MEMS谐振器的所述多个拉长直梁段中的至少一个包括布置在其中的多个槽。

13.如权利要求1所述的MEMS阵列结构，其中每个MEMS谐振器的多个弯曲段中的至少一个包括布置在其中的多个槽。

14.如权利要求1所述的MEMS阵列结构，其中所述MEMS谐振器的每个拉长直梁段的宽度在那些端处比其中心的宽。

15.一种MEMS阵列结构，包括：

多个MEMS谐振器，每个MEMS谐振器都包括：

多个拉长直梁段，其中每个梁段都包括第一端和第二端；

多个弯曲段，其中每个弯曲段都包括第一端和第二端，其中梁段的每一端都连接到所述弯曲段之一的有关的端，从而形成一个几何形状；以及

其中至少一个弯曲段包括波节点；

多个谐振器耦合段，其中至少一个谐振器耦合段布置在相邻MEMS谐振器的至少一对相对的拉长直梁段之间，从而使每个MEMS谐振器都连接到至少一个相邻MEMS谐振器；以及

多个锚耦合段，其中每个MEMS谐振器的所述至少一个波节点通过有关的锚耦合段连接到基底锚，所述基底锚将所述MEMS谐振器牢固地固定到基底。

16.如权利要求15所述的MEMS阵列结构，还包括多个应力/应变缓解机构，其中至少一个应力/应变缓解机构布置在有关的锚耦合段内，并且在所述基底锚和所述MEMS谐振器的所述波节点之间。