[发明专利]光学记录介质

权利要求书

1.一种光学记录介质，包括：

基底、

反射层、

第二介电层、

记录层、和

第一介电层，

其中反射层、第二介电层、记录层和第一介电层依次设置在所述基底上，

所述记录层包括含有GeSbSnMn和GeSbSnMnGa中任何一种的相变记录材料，并且

第二介电层包括Nb、Si和Ta中的两种或多种元素的氧化物。

2.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中光学记录介质从光照射侧依次包括光传输层、第一介电层、记录层、第二介电层、反射层和基底。

3.根据权利要求1和2中任何一项所述的光学记录介质，其中第二介电层中的氧化物是Nb₂O₅和SiO₂、以及Ta₂O₅和SiO₂中的任何一组。

4.根据权利要求3所述的光学记录介质，其中Nb₂O₅或Ta₂O₅的组成比率α(摩尔％)和SiO₂的组成比率β(摩尔％)满足以下式：30≤α≤85且β＝100-α。

5.根据权利要求1和2中任何一项所述的光学记录介质，其中第二介电层中的氧化物为Nb₂O₅、SiO₂和Ta₂O₅。

6.根据权利要求5所述的光学记录介质，其中Nb₂O₅的组成比率α′(摩尔％)、SiO₂的组成比率β′(摩尔％)和Ta₂O₅的组成比率γ′(摩尔％)满足下式：30≤α′≤85、10≤β′≤50且γ′＝100-(α′+β′)。

7.根据权利要求1到6中任何一项所述的光学记录介质，其中第二介电层的厚度为3nm到15nm。

8.根据权利要求1到7中任何一项所述的光学记录介质，其中第一介电层包括ZnS和SiO₂，并且SiO₂的比率为15摩尔％到40摩尔％。

9.根据权利要求1到8中任何一项所述的光学记录介质，其中该反射层包括Ag和Ag合金中的任何一种。