[发明专利]时分多工工艺中的用于终点的波长选择有效
| 申请号: | 200680030983.7 | 申请日: | 2006-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN101248507A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
| 发明(设计)人: | 大卫·约翰逊;鲁塞尔·韦斯特曼 | 申请(专利权)人: | 奥立孔美国公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/3065;B81C1/00;H01L21/66 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 郑立;林月俊 |
| 地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 时分 工艺 中的 用于 终点 波长 选择 | ||
1.一种在时分多工工艺期间建立终点的方法,所述方法包括步骤:
使基板经历时分多工工艺;
基于来自刻蚀副产物的等离子体发射,选择第一波长区域;
基于来自等离子体背景的等离子体发射,选择第二波长区域;
计算所述第一波长区域相对于所述第二波长区域的比率;
监测由时分多工工艺生成的信号的属性;
基于所述计算步骤的所述比率,调节所述监测步骤;
使用包络跟随器处理由时分多工工艺生成的周期性信号的所述调节后的属性;并且
在基于处理步骤的时间处,中断时分多工工艺。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述属性是等离子体发射强度。
3.如权利要求2所述的方法,其中所述监测步骤进一步包括监测多个等离子体发射强度区域。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述多个等离子体发射强度区域是使用统计方法选择的。
5.如权利要求4所述的方法,其中所述统计方法进一步包括因素分析。
6.如权利要求5所述的方法,其中所述多个等离子体发射强度区域是使用离线分析选择的。
7.如权利要求6所述的方法,其中所述离线分析进一步包括光谱区分。
8.如权利要求3所述的方法,其中所述监测步骤进一步包括所述多个等离子发射强度区域执行数学运算。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述属性是等离子体阻抗。
10.如权利要求1所述的方法,其中所述处理步骤进一步包括使用多个峰值检测算法。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述多个峰值检测算法是并行处理的。
12.如权利要求10所述的方法,其中所述多个峰值检测算法是以轮转方式顺序重置的。
13.如权利要求12所述的方法,其中所述重置进一步包括如下时钟周期,该时钟周期是时分多工工艺的工艺周期的至少一半。
14.如权利要求1所述的方法,其中所述处理步骤进一步包括对提取的幅度检测信号进行的后处理。
15.如权利要求14所述的方法,其中所述后处理是数字信号处理。
16.如权利要求15所述的方法,其中所述数字信号处理包括滤波器。
17.如权利要求16所述的方法,其中所述滤波器是无限脉冲响应滤波器。
18.如权利要求16所述的方法,其中所述滤波器是有限脉冲响应滤波器。
19.一种在时分多工工艺期间建立终点的方法,所述方法包括步骤:
a.在刻蚀步骤中通过与反应性刻蚀气体接触来刻蚀基板的表面,以从基板的表面除去材料并提供暴露的表面;
b.在钝化步骤中使基板的表面钝化,在此期间,在前面的刻蚀步骤中暴露出的表面被钝化层覆盖,由此形成了临时刻蚀停止层;
c.交替重复刻蚀步骤和钝化步骤;
d.基于来自刻蚀副产物的等离子体发射,选择第一波长区域;
e.基于来自等离子体背景的等离子体发射,选择第二波长区域;
f.计算所述第一波长区域相对于所述第二波长区域的比率;
g.通过使用包络跟随器算法分析等离子体发射的至少一个波长区域的强度;
h.基于所述计算步骤的所述比率,调节所述分析步骤;并且
i.在取决于所述分析步骤的时间处,中断时分多工工艺。
20.一种在时分多工工艺期间建立终点的方法,所述方法包括步骤:
使基板经历时分多工工艺;
基于来自刻蚀副产物的等离子体发射,选择第一波长区域;
基于来自等离子体背景的等离子体发射,选择第二波长区域;
计算所述第一波长区域相对于所述第二波长区域的比率;
监测由时分多工工艺生成的信号的属性;
基于所述计算步骤的所述比率,调节所述监测步骤;
使用峰值保持和衰减算法处理由时分多工工艺生成的周期性信号的所述调节后的属性;并且
在基于处理步骤的时间处,中断时分多工工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥立孔美国公司,未经奥立孔美国公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680030983.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





