[发明专利]电子部件和其制造方法

权利要求书

1.电子部件，具有元件本体和在上述元件本体的外侧形成的端子电极，所述元件本体具有用电介质陶瓷组合物构成的电介质层，其特征在于，

上述电介质陶瓷组合物具有含有钛酸钡的主成分、

含有Mg和Ca中的至少一种的氧化物的第1副成分、

含有SiO₂的第2副成分、

含有Mn和Cr中的至少一种的氧化物的第3副成分、和

含有稀土类元素的氧化物的第4副成分，

上述第3副成分中的Mn和/或Cr的价数为2.2～2.4的范围。

2.如权利要求1所述的电子部件，上述第1副成分～第4副成分相对于100摩尔上述主成分的比例具有下述的关系，

第1副成分：大于0.1摩尔且小于1.5摩尔，但是，第1副成分的摩尔数是以各元素换算的摩尔数、

第2副成分：1～3摩尔、

第3副成分：大于0.1摩尔且小于0.75摩尔，但是，第3副成分的摩尔数是以各元素换算的摩尔数、

第4副成分：大于0.1摩尔且小于1.5摩尔，但是，第4副成分的摩尔数是以稀土类元素换算的摩尔数。

3.如权利要求2所述的电子部件，其特征在于，当将在上述第1副成分中含有的Mg和Ca中的至少一种的元素记作X1，将在上述第4副成分中含有的上述稀土类元素记作Re，且将X1、Mn和Cr的摩尔数相对于Re的摩尔数的摩尔比表示成(X1+Mn+Cr)/Re时，(X1+Mn+Cr)/Re为大于0.7且在4.2以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的电子部件，上述第4副成分中的稀土类元素是Y、Dy、Ho、Er中的至少任意一种。

5.如权利要求1～4中任一项所述的电子部件，作为上述第2副成分的玻璃成分可以用化学式MxSiO₃表示，上述化学式中的M至少含有Ba、Ca、Sr、Li、B的任意一种，x为2/3～2的范围。

6.如权利要求1～5中任一项所述的电子部件，在上述元件本体的内部，内部电极层与上述电介质层交互叠层，介于上述电介质层，相对的任意一对上述内部电极层分别连接在形成于上述元件本体外部的一对上述端子电极上，构成叠层陶瓷电容器。

7.电子部件的制造方法，其是制造如权利要求1～6中任一项所述的电子部件的方法，具有：

烧成上述元件本体的工序、和

将烧成后的上述元件本体进行退火的工序。

8.如权利要求7所述的电子部件的制造方法，烧成上述元件本体时的烧成温度为1100～1350℃，烧成气氛气体中氧分压大于1.67×10^-14atm且小于9.97×10^-10atm。

9.如权利要求7或者8所述的电子部件的制造方法，上述元件本体退火时的温度为900～1100℃，退火气氛气体中氧分压大于5.43×10^-8atm且小于3.12×10^-6atm。

10.如权利要求7～9中任一项所述的电子部件的制造方法，通过在退火处理后的上述元件本体的外侧涂布端子电极用糊料并进行烧结处理来形成端子电极。

11.如权利要求10所述的电子部件的制造方法，其特征在于，上述端子电极用糊料含有Cu粉末和玻璃成分。

12.如权利要求10或者11所述的电子部件的制造方法，涂布端子电极用糊料并进行烧结处理时的处理温度为700～850℃。

13.如权利要求10～12中任一项所述的电子部件的制造方法，涂布端子电极用糊料并进行烧结处理时的气氛气体中的氧分压大于0.1×10^-6atm且小于10×10^-6atm。

14.如权利要求10～13中任一项所述的电子部件的制造方法，其特征在于，涂布端子电极用糊料并进行烧结处理时的气氛气体中的氢浓度为0.03～0.2体积％。