[发明专利]单片型半导体激光器有效
| 申请号： | 200680030737.1 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101248562A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 田边哲弘 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单片 半导体激光器 | ||
1.一种单片型半导体激光器，在同一半导体基板上具有第一波长用半导体激光器元件和第二波长用半导体激光器元件，其特征在于：
所述第一波长用半导体激光器元件具有：由在所述半导体基板上叠层的第一导电型半导体层、活性层、形成有脊部的第二导电型半导体层构成的第一波长用发光层形成部；和在所述第二导电型半导体层的脊部的侧部设置的第一波长用的第一导电型电流狭窄层，
所述第二波长用半导体激光器元件具有：由在所述半导体基板上的未形成所述第一波长用半导体激光器元件的区域叠层的第一导电型半导体层、活性层、形成有脊部的第二导电型半导体层构成的第二波长用发光层形成部；和在所述第二导电型半导体层的脊部的侧部设置的第二波长用的第一导电型电流狭窄层，
形成所述第一波长用的电流狭窄层和所述第二波长用的电流狭窄层的材料相同，并且由相比于发光波长短的所述第二波长用的半导体激光器元件的活性层具有更大的带隙能量的AlzGa1-zAs材料构成，其中，0.5≤z≤0.8，
所述第一波长用半导体激光器元件和第二波长用半导体激光器元件的构成所述脊部的第二导电型半导体层，由折射率为3.39～3.44，且与所述电流狭窄层的折射率之差在0.1以下的材料构成。
2.一种单片型半导体激光器，其特征在于：
在同一半导体基板上具有第一波长用半导体激光器元件和第二波长用半导体激光器元件，其特征在于：
所述第一波长用半导体激光器元件具有：由在所述半导体基板上叠层的第一导电型半导体层、活性层、形成有脊部的第二导电型半导体层构成的第一波长用发光层形成部；和在所述第二导电型半导体层的脊部的侧部设置的第一波长用的第一导电型电流狭窄层，
所述第二波长用半导体激光器元件具有：由在所述半导体基板上的未形成所述第一波长用半导体激光器元件的区域叠层的第一导电型半导体层、活性层、形成有脊部的第二导电型半导体层构成的第二波长用发光层形成部；和在所述第二导电型半导体层的脊部的侧部设置的第二波长用的第一导电型电流狭窄层，
形成所述第一波长用的电流狭窄层和所述第二波长用的电流狭窄层的材料相同，并且由相比于发光波长短的所述第二波长用的半导体激光器元件的活性层具有更大的带隙能量的In0.5(Ga1-xAlx)0.5P材料构成，其中，0.6≤x≤1，
所述第一波长用半导体激光器元件和第二波长用半导体激光器元件的构成所述脊部的第二导电型半导体层，由折射率为3.29～3.39，且与所述电流狭窄层的折射率之差在0.1以下的材料构成。
3.如权利要求1或2所述的单片型半导体激光器，其特征在于：
在所述电流狭窄层上设置有由GaAs构成的保护层。
4.如权利要求3所述的单片型半导体激光器，其特征在于：
所述第一波长用和第二波长用的电流狭窄层被电分离，并且由在该电流狭窄层中添加有Si的n型半导体层构成。
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