[发明专利]制造异质结双极晶体管的方法

权利要求书

1.一种通过堆叠外延生长的半导体层制备异质结双极晶体管的方法，包括以下步骤：从载体外延生长至少一个集电极层或发射极层、至少一个基极层、以及至少一个发射极层或集电极层，这些层具有产生引起变形的栅格匹配缺陷的成分，其特征在于，外延生长所述集电极层或发射极层的步骤包括外延生长与所述基极层接触的、用于平衡约束并减小所述变形的至少一个第一亚层(C1)以及基于所述第一亚层位于所述基极层相对侧的至少一个第二亚层(C2)的子步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一亚层(C1)具有与所述发射极层或集电极层基本相同的成分。

3.根据权利要求1所述的方法，为了制备所述发射极层或集电极层包括两个亚层的晶体管，其中，两个亚层包括与所述基极层接触的第一亚层(E1)以及基于所述第一亚层位于所述基极层相对侧的第二亚层(E2)，在所述方法中，所述集电极或发射极的第一亚层具有与所述发射极或集电极的第一亚层相同的成分。

4.一种异质结双极晶体管，包括载体以及从该载体外延生长的至少：

一个集电极层或发射极层；

至少一个基极层(B)；以及

至少一个发射极层或集电极层；

所述层具有产生引起变形的栅格匹配缺陷的成分；

其特征在于，所述集电极层或发射极层包括：

至少一个第一亚层(C1)，与所述基极层接触，用于平衡约束并减小所述变形；以及

至少一个第二亚层(C2)，基于所述第一亚层位于所述基极层的相对侧。

5.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述第一亚层(C1)具有与所述发射极层或集电极层基本相同的成分。

6.根据权利要求4或5所述的晶体管，其中，所述第二亚层被钻蚀至所述基极层的横向延伸部和相应的发射极-基极或集电极-基极结的横向延伸部之间所包括的最小横向延伸部。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的晶体管，其中，所述发射极层或集电极层包括：

至少一个第一亚层(E1)，与所述基极层接触，基本上具有所述成分；以及

至少一个第二亚层(E2)，基于所述第一亚层位于所述基极层的相对侧。

8.根据权利要求4至7中任一项所述的晶体管，其中：

所述基极层由GaAsSb构成；

所述第一亚层由InGaAlAs构成；以及

所述第二亚层由InP构成。

9.一种用于制造根据权利要求4至8中任一项所述的晶体管的方法，包括步骤：

外延生长所述层和亚层；

蚀刻在所述发射极层或集电极层上面的层；

其特征在于，还包括步骤：

钻蚀所述集电极或发射极的第二亚层；

在所述集电极或发射极的第一亚层与位于第二亚层下的层之间的通过钻蚀所留下的空间内填充绝缘材料；以及

蚀刻所述发射极层或集电极层。

10.根据权利要求9所述的方法，为了制造包括发射极或集电极的接触层以及金属接触的晶体管，所述方法包括将所述发射极或集电极接触以及金属接触封装在保护材料(4)中以保护其免受蚀刻的步骤。

11.根据权利要求9或10所述的方法，为了制备这样的晶体管，其中，所述发射极层或集电极层包括两个亚层，第一亚层与基极层接触，第二亚层基于所述第一亚层位于所述基极层的相对侧，在所述蚀刻在所述发射极层或集电极层上面的层的步骤之后，进行蚀刻发射极或集电极的第二亚层的步骤。

12.根据权利要求10和11所述的方法，其中，封装步骤包括封装所述发射极或集电极的第二亚层的未蚀刻部分，所述未蚀刻部分位于所述发射极或集电极的第一亚层以及所述发射极或集电极的接触层之间。