[发明专利]具有焊接板和加热器的基材支撑件有效
| 申请号: | 200680030168.0 | 申请日: | 2006-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN101243542A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
| 发明(设计)人: | S·P·乌莫蒂;L·C-L·雷;G-C·楚;X·J·袁;M·S·杰克逊;H·莱姆 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆嘉 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 焊接 加热器 基材 支撑 | ||
1.一种基材支撑件,包括:
(a)顶板,包括多个供应管线以及一上表面,该上表面包括:
(i)多个往外突出的突出部,是分布在一凹陷部之间;
(ii)网状分布的多个凹陷沟槽;
(iii)真空端口,该真空端口的终端连接于该些凹陷沟槽,并连接至供应管线;以及
(iv)多个气体端口,是连接至其它供应管线;
(b)中间板,包括多个中间供应管线,该些中间供应管线与该顶板的该些供应管线排为一列,该中间板藉由第一硬焊结合层而与该顶板接合;以及
(c)底板,包括多个底部供应管线,该些底部供应管线与该中间板的该些中间供应管线排为一列,该底板藉由第二硬焊结合层而与该中间板接合。
2.如权利要求1所述的基材支撑件,其中该第一或第二硬焊结合层包括硬焊化合物,该硬焊化合物包括铝、铜、铟、铅、镁、镍、锡、硅及其合金至少其中之一。
3.如权利要求1所述的基材支撑件,其中该上表面包括一中央部位以及一周围部位,该些凹陷沟槽包括分隔设置的多个臂,该些臂是起始于包含该真空端口的该中央部位的一圆形沟槽,并放射状地延伸跨过基材,而该些臂的终端连接于该周围部位的半圆形沟槽。
4.如权利要求1所述的基材支撑件,其中该些突出部是基本为圆柱形。
5.如权利要求4所述的基材支撑件,其中是包括约10~约1000个该些突出部。
6.如权利要求1所述的基材支撑件,其中在该些突出部的周围更包括密封边缘。
7.如权利要求6所述的基材支撑件,其中该些突出部及该密封边缘具有约20~约100微米的表面平坦度,以及约4~约20微英寸的表面光洁度(surface finish)。
8.如权利要求1所述的基材支撑件,其中该凹陷部包括约2~约80微米的表面粗糙度。
9.如权利要求1所述的基材支撑件,其中该凹陷部自该些突出部的上表面算起的深度为约25~250微米。
10.如权利要求1所述的基材支撑件,其中该顶板的下表面的沟槽内更包括电阻加热器。
11.如权利要求10所述的基材支撑件,其中该电阻加热器包括第一电阻加热组件,其设置在该顶板的一周围部位的周围;以及第二电阻加热组件,其设置在该顶板的一中央部位的周围。
12.如权利要求11所述的基材支撑件,其中该第一及第二电阻加热组件各自包括二个同心线圈(concentric loop)。
13.如权利要求12所述的基材支撑件,其中各该电阻加热组件是呈螺旋线圈状,且包覆有电绝缘体粉末而位于一管中。
14.如权利要求13所述的基材支撑件,其中该管是被该顶板的该沟槽内的热传导填料所包覆住。
15.一种形成基材支撑件的方法,该方法包括:
(a)形成包括一上表面的顶板,该上表面具有多个由一凹陷部延伸且往外突出的多个突出部,该凹陷部位于网状分布的多个凹陷沟槽之间,且多个顶部供应管线的终端连接于一真空端口以及多个气体端口;
(b)形成中间板,该中间板包括多个中间供应管线;
(c)形成底板,该底板包括多个底部供应管线;
(d)施加硬焊化合物至该顶板、该中间板以及该底板的至少二表面;
(e)将该顶板、该中间板以及该底板排为一列而形成一组合件,则该些顶部供应管线、该些中间供应管线及该些底部供应管线是彼此排为一列;
(f)加热该组合件至该硬焊化合物的熔化温度;以及
(g)冷却该组合件,以在该顶板、该中间板以及该底板之间形成硬焊接合。
16.如权利要求15所述的方法,其中包括施加一具有熔化温度低于该顶板、该中间板以及该底板的熔点的硬焊化合物。
17.如权利要求15所述的方法,其中该硬焊化合物包括铝、铜、铟、铅、镁、镍、锡、硅及其合金至少其中之一。
18.如权利要求15所述的方法,其中包括形成多个凹陷沟槽,该些凹陷沟槽包括分隔设置的多个臂,该些臂是由该顶板的一中央部位放射状地延伸至该顶板的一周围部位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





