[发明专利]光记录介质以及光记录介质的信息再现方法无效
申请号: | 200680029340.0 | 申请日: | 2006-08-08 |
公开(公告)号: | CN101243505A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 菊川隆;福泽成敏;小林龙弘;富永淳二;中野隆志;岛隆之;金朱镐;黄仁吾 | 申请(专利权)人: | TDK股份有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;G11B7/005 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫;马少东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 介质 以及 信息 再现 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种将再现光照射至形成于记录层上的记录标记而能够再现信息的光记录介质,尤其是涉及一种能够对光学系统的分辨极限以下的小记录标记进行再现的光记录介质以及光记录介质的信息再现方法。
背景技术
近年来,例如在JP特开2003-6872号公报所记载,提出了一种能够对比再现光学系统中的衍射极限更小的记录标记列进行再现的超分辨率光记录介质。
在该超分辨率光记录介质中,虽然能够再现超过再现光学系统的分辨极限的微小记录标记(超分辨率记录标记),但是其原理尚未明确。
CD(compact disc:光盘)以及DVD(Digital Versatile Disc:数字通用光盘)等光记录介质在基板上包括记录层、电介质层、反射层,其中,该电介质层用于控制反射率以及保护记录层,该控制反射率用于通过再现激光读出所记录的信息。
上述记录由记录层中的反射率不同的2个部分组成,其一方称为记录标记,另一方称为空白(blank)部,而且,若假定再现激光的波长为λ、物镜的数值孔径为NA,则在激光的扫描方向上的大小比分辨极限的λ/4NA更大的情况下能够再现上述记录标记。
通常,在利用光的再现方法中,无法读取周期为某记录标记列周期以下的记录标记列。该记录标记列周期的长度被称为衍射极限。在波长为λ、数值孔径为NA的再现光学系统中,其衍射极限为λ/NA/2,因此,若在一个周期中,记录标记部与空白部的长度相同,则记录标记的长度为λ/NA/4。该记录标记长度被称为分辨极限。
在如上述的光记录介质中,为了实现记录的高密度化,需要缩短波长λ或者提高NA,但都存在极限。
与此相对,提出了一种如上述的超分辨率光记录介质,其中之一的提案是一种在光记录介质上附加用于缩小再现激光的光点的结构的方法。例如,探讨使用随着激光的照射而温度上升从而液化的材料,或着,使用禁带宽度变化的半导体材料。
然而,不管在哪种情况下,都存在如下问题:由于光点的大小根据照射在光记录介质上的再现激光的功率而变化,因此,必须决定用于对每个记录标记大小进行超分辨率再现的最佳激光功率。
发明内容
本发明要解决的问题在于,使对光记录介质进行超分辨率再现的激光的照射功率不依赖于记录标记的大小。
本发明人专心研究的结果发现,通过接近记录层而设置超分辨率层,能够使再现激光的照射功率不依赖于记录标记的大小,其中,该超分辨率层由用规定照射功率的DC光照射1~300秒钟时产生空隙的材料构成。
即,通过以下实施例,能够解决上述问题。
(1)一种光记录介质,其特征在于,具有基板,而且至少具有形成在该基板上的记录层以及超分辨率层,上述超分辨率层由在以规定照射功率的DC光照射1~300秒钟时产生空隙的材料构成。
在这里,所谓DC光是用一定光强度照射的光,而并不进行比至少在该记录介质上记录的信号列中最高频率的列低的频率的光强度的调制。
(2)一种光记录介质,其特征在于,具有基板,而且至少具有形成在该基板上的记录层以及超分辨率层,上述超分辨率层由具有通过1~300秒钟的DC光照射能够产生空隙的规定照射功率的材料构成。
(3)根据(1)或(2)所记载的光记录介质,其特征在于,上述超分辨率层由以下材料构成,该材料是指,在利用DC光照射形成有用于再现的再现光学系统的分辨极限以下大小的单一频率的记录标记的记录层、且使其照射功率从比产生上述空隙的规定照射功率更小的功率变化到大的功率时,再现信号的载波噪声比以分贝为单位而至少变为3倍的材料。
(4)根据(1)或(2)所记载的光记录介质,其特征在于,上述超分辨率层由以下材料构成,该材料是指,在利用DC光照射形成有用于再现的再现光学系统的分辨极限以下大小的单一频率的记录标记的记录层、且使其照射功率改变时,在再现信号的载波噪声比以分贝为单位而至少呈现3倍差别的照射功率之间,具有产生上述空隙的规定照射功率的材料。
(5)根据(1)至(4)任何一项所记载的光记录介质,其特征在于,上述超分辨率层由Sb、Bi、Te、Zn、Sn、Ge、Si中的任一种的化合物构成。
(6)根据(5)所记载的光记录介质,其特征在于,在上述材料中至少包含有Ag或In。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK股份有限公司;三星电子株式会社,未经TDK股份有限公司;三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680029340.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 信息记录介质、信息记录方法、信息记录设备、信息再现方法和信息再现设备
- 信息记录装置、信息记录方法、信息记录介质、信息复制装置和信息复制方法
- 信息记录装置、信息再现装置、信息记录方法、信息再现方法、信息记录程序、信息再现程序、以及信息记录介质
- 信息记录装置、信息再现装置、信息记录方法、信息再现方法、信息记录程序、信息再现程序、以及信息记录介质
- 信息记录设备、信息重放设备、信息记录方法、信息重放方法、以及信息记录介质
- 信息存储介质、信息记录方法、信息重放方法、信息记录设备、以及信息重放设备
- 信息存储介质、信息记录方法、信息回放方法、信息记录设备和信息回放设备
- 信息记录介质、信息记录方法、信息记录装置、信息再现方法和信息再现装置
- 信息终端,信息终端的信息呈现方法和信息呈现程序
- 信息创建、信息发送方法及信息创建、信息发送装置