[发明专利]使用延伸的埋入触点来减少成像器串扰和像素噪声

权利要求书

1.一种成像器像素，其包括：

衬底；

光收集区域，其形成于所述衬底中；

埋入触点，其形成于电荷收集区域上；以及

滤光区域，其与所述埋入触点形成于同一平面水平上，且经布置以至少部分地覆盖所述光收集区域。

2.根据权利要求1所述的成像器像素，其中所述滤光区域和所述埋入触点由多晶硅形成。

3.根据权利要求2所述的成像器像素，其中所述滤光区域和所述埋入触点由同一多晶硅层形成。

4.根据权利要求1所述的成像器像素，其中所述滤光区域是电无源的。

5.根据权利要求1所述的成像器像素，其中将偏压施加到所述滤光区域，以防止暗电流的积聚。

6.根据权利要求1所述的成像器像素，其中所述滤光区域接地。

7.根据权利要求1所述的成像器像素，其中所述滤光区域与所述光收集区域电子隔离。

8.根据权利要求1所述的成像器像素，其进一步包括彩色滤光片，所述彩色滤光片经布置以拦截朝所述光收集区域引导的光。

9.根据权利要求8所述的成像器像素，其中所述彩色滤光片是红色的。

10.根据权利要求1所述的成像器像素，其中仅针对红色像素形成所述滤光区域。

11.根据权利要求1所述的成像器像素，其中所述滤光区域由多晶硅层形成。

12.一种成像装置，其包括：

由衬底支撑的光传感器；

由所述衬底支撑的像素组件材料层，所述像素组件材料经图案化以包括用于对电像素组件进行操作的离散构造；以及

层，其与所述像素组件材料层形成于同一平面水平上，所述层覆盖经配置以用作滤光片的多个光传感器。

13.根据权利要求12所述的成像装置，其中所述像素组件层进一步包括覆盖所述像素组件材料层的绝缘层。

14.根据权利要求13所述的成像装置，其中所述绝缘层是TEOS。

15.根据权利要求12所述的成像装置，其中所述滤光片层形成于红像素上。

16.一种CMOS成像器，其包括：

以行和列布置在衬底上的成像器像素阵列，每个成像器像素包括：

光敏区域；

由包括像素电路的衬底支撑的制造层；以及

滤光区域，其与所述制造层形成于同一平面水平上，且经布置和配置以覆盖所述光敏区域并吸收入射光。

17.根据权利要求16所述的CMOS成像器，其进一步包括形成于所述制造层中的埋入触点。

18.根据权利要求17所述的CMOS成像器，其中所述埋入触点和所述滤光区域由同一多晶硅层形成。

19.根据权利要求16所述的CMOS成像器，其进一步包括形成于所述光敏区域和所述滤光区域上方的彩色滤光片层。

20.根据权利要求19所述的CMOS成像器，其中所述彩色滤光片层是红色的。

21.根据权利要求16所述的CMOS成像器，其中所述滤光区域形成于红光敏区域上。

22.根据权利要求16所述的CMOS成像器，其中所述滤光区域由多晶硅形成。

23.一种形成成像装置的像素的方法，其包括：

在衬底中形成光传感器；

在所述衬底上形成第一层；

对所述第一层进行图案化以去除所述第一层的若干部分，以便提供经布置以对所述像素进行操作的电路；

在所述光传感器上形成滤光层；以及

在所述光传感器和所述滤光层上形成彩色滤光片以用于进一步的滤光。