[发明专利]光刻设备及其清洁方法

权利要求书

1.一种极紫外光刻设备，包括：

辐射源，用于生成极紫外辐射；

用于供给氢基团的源；

用于与所述氢基团源结合使用的引导件，用于将氢基团引导到作为所述氢基团的目标的应用表面；

其中所述引导件设置有具有低于0.2的氢基团复合常数的涂层。

2.根据权利要求1所述的极紫外光刻设备，其中所述引导件，在极紫外光刻设备的操作条件下，被极紫外辐射照射。

3.根据权利要求1所述的极紫外光刻设备，其中所述引导件包括用于朝向作为极紫外投影束的目标的衬底引导极紫外辐射的反射镜元件。

4.根据权利要求3所述的极紫外光刻设备，其中所述反射镜元件是切向入射反射镜元件。

5.根据权利要求3所述的极紫外光刻设备，其中所述反射镜元件是正入射反射镜元件。

6.根据权利要求5所述的极紫外光刻设备，其中所述反射镜元件包括多个堆叠层，所述堆叠层由钝化层和所述涂层界定。

7.根据权利要求5所述的极紫外光刻设备，其中所述反射镜元件包括多个堆叠层，所述堆叠层由所述涂层界定。

8.根据权利要求3所述的极紫外光刻设备，其中所述反射镜元件是极紫外采集器。

9.根据权利要求1所述的极紫外光刻设备，其中所述复合常数小于0.01。

10.根据权利要求1所述的极紫外光刻设备，其中所述复合常数小于0.001。

11.根据权利要求1所述的极紫外光刻设备，其中所述涂层是氢基团抗蚀剂。

12.根据权利要求11所述的极紫外光刻设备，其中所述涂层的蚀刻速率在预定的氢基团局部压力下，比锡的蚀刻速率低20倍。

13.根据权利要求12所述的极紫外光刻设备，其中所述涂层的蚀刻速率在预定的氢基团局部压力下，比锡的蚀刻速率低10倍。

14.根据权利要求1所述的极紫外光刻设备，其中所述引导件包括具有大于0.5的复合常数的材料。

15.根据权利要求14所述的极紫外光刻设备，其中所述引导件包括钌。

16.根据权利要求1所述的极紫外光刻设备，其中所述涂层包括Si化合物。

17.根据权利要求16所述的极紫外光刻设备，其中所述涂层包括SiN化合物。

18.根据权利要求17所述的极紫外光刻设备，其中所述涂层包括Si₃N₄。

19.根据权利要求1所述的极紫外光刻设备，其中所述涂层具有0.5-2.5nm的厚度。

20.根据权利要求19所述的极紫外光刻设备，其中所述涂层具有0.8-1.2nm的厚度。

21.一种清洁极紫外反射镜元件上的污染物的方法，包括：

为所述反射镜元件提供具有低于0.2的氢基团复合常数的涂层；以及

将氢基团提供给所述反射镜元件，以便从所述反射镜元件上蚀刻掉所述污染物。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述污染物包括锡，和/或所述反射镜元件包括Ru。

23.根据权利要求21所述的方法，其中所述氢/氢基团的压力状态在1-20毫巴范围内。

24.根据权利要求21所述的方法，其中所述清洁方法还包括为卤化物清洁的目的提供卤化物。

25.一种将氢基团从氢基团源提供到应用表面的方法，包括：

提供引导件，所述引导件用于将所述氢基团从所述氢基团源朝向所述应用表面引导；

其中所述引导件设置有具有低于0.2的氢基团复合常数的涂层。

26.一种保护极紫外反射镜元件免受氢基团影响的方法，包括：

为所述反射镜元件提供具有低于0.2的氢基团复合常数的涂层；以及将氢基团提供给所述反射镜元件。