[发明专利]用于把离子引入离子阱的方法以及离子存储设备

权利要求书

1、一种把离子引入到离子阱中的方法，其包括以下步骤：利用引入装置通过到所述离子阱的入口孔径把第一离子引入到所述离子阱中；以及选择性地调节所述相同的引入装置的操作条件，以通过所述相同的入口孔径把极性不同于第一离子的第二离子引入到该离子阱中。

2、根据权利要求1的方法，其中，所述第一和第二离子适于发生离子-离子反应。

3、根据权利要求2的方法，其中，所述第一和第二离子的其中之一是反应物离子，其导致所述第一和第二离子当中的另一种的电荷减少。

4、根据权利要求3的方法，其中，所述电荷减少导致所述第一和第二离子当中的所述另一种的电子转移解离。

5、根据权利要求1-4当中的任一项的方法，其中，所述第一离子和所述第二离子由相同的离子源生成。

6、根据权利要求1-4当中的任一项的方法，其中，所述第一离子和所述第二离子由不同的离子源生成。

7、根据权利要求5或权利要求6的方法，其中，所述第一和/或第二离子由APCI、CI、PI、ESI、MALDI当中的一项或多项生成。

8、根据权利要求3的方法，其中，所述反应物离子是通过气流辅助的辉光放电管中的电子附着所生成的阴离子。

9、根据权利要求8的方法，其中，所述气流辅助的辉光放电管包括热灯丝，以便提供电子发射。

10、根据前述权利要求任一项所述的方法，其中，所述第一离子与所述第二离子具有不同的质荷比。

11、根据前述权利要求任一项所述的方法，其中，所述引入装置包括静电透射透镜，并且所述调节所述引入装置的所述操作条件的步骤包括颠倒沿着所述透镜的透射轴的dc电势梯度。

12、根据权利要求11所述的方法，其中，所述颠倒dc电势梯度的步骤包括改变所述透射透镜的偏置电压。

13、根据权利要求11或10所述的方法，其中，所述引入装置包括门透镜，并且调节所述操作条件的所述步骤包括改变该门透镜的偏置电压。

14、根据权利要求11到13当中的任一项所述的方法，其中，所述引入装置包括HF多极透镜。

15、根据权利要求11到14当中的任一项所述的方法，包括以下步骤：在所述调节步骤之前禁用所述引入装置的步骤，以便终止引入所述第一离子。

16、根据前述权利要求任一项所述的方法，其中，按照连续方式把所述第一离子和/或所述第二离子引入到所述离子阱中。

17、根据权利要求1到15当中的任一项的方法，其中，按照脉冲的方式把所述第一离子和/或所述第二离子引入到所述离子阱中。

18、一种离子存储设备，其包括：离子阱，其具有入口孔径；引入装置，其用于把第一和第二离子引入到所述离子阱中，所述第一离子的极性不同于所述第二离子；调节装置，其用于调节所述引入装置的操作条件，借此通过到该离子阱的所述相同的入口孔径选择性地把所述第一和第二离子引入到该离子阱中。

19、根据权利要求18所述的离子存储设备，其中，所述引入装置包括静电透射透镜，并且所述调节装置被设置成颠倒沿着所述透镜的透射轴的dc电势梯度。

20、根据权利要求19所述的离子存储设备，其中，所述调节装置被设置成通过改变所述透射透镜的偏置电压来颠倒所述dc电势梯度。

21、根据权利要求19或权利要求20所述的离子存储设备，其中，所述调节装置被设置成令所述dc电势梯度的大小保持不变。

22、根据如权利要求19到21当中的任一项所述的离子存储设备，其中，所述引入装置包括门透镜，并且所述调节装置被设置成改变所述门透镜的偏置电压。

23、根据权利要求19到22当中的任一项所述的离子存储设备，其中，所述引入装置包括HF多极透镜。