[发明专利]具有改进的机械可靠性和热可靠性的半导体装置

权利要求书

1.一种集成电路装置，其包含：

半导体芯片；

衬底，在其上组装所述芯片，所述衬底具有用于外部连接的触点；

每一触点包括：

具有铜的接触区域；

覆盖所述接触区域的合金层，所述合金层包括铜/锡合金和铜/镍/锡合金，所述合金层以冶金学方式附接到所述铜区域且大致没有非合金镍区；以及

包含锡的回流元件，其以冶金学方式附接到所述合金层。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述铜/锡合金包括Cu₆Sn₅金属间化合物。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述铜/镍/锡合金包括(Ni，Cu)₆Sn₅金属间化合物。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述合金层进一步包含金。

5.根据权利要求4所述的装置，其中主要合金包含(Cu，Ni，Au)₆Sn₅金属间化合物。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述金属间化合物(Cu，Ni，Au)₆Sn₅的厚度处于约2.0与3.0μm之间。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述合金层包含钯。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述回流元件进一步包含选自由铅、银、铋、铟、锌、铜、镍和锑组成的群组中的一种或一种以上金属。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述衬底触点由焊料掩模中的窗口界定。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述回流元件跨越整个接触区域附接到所述合金层区域。

11.根据权利要求1所述的装置，其中铜/镍/锡合金邻近于所述铜接触区域。

12.根据权利要求11所述的装置，其进一步包含从附近的所述铜接触区域散裂的铜/镍/锡合金。

13.根据权利要求11所述的装置，其中所述铜/锡合金邻近于所述铜接触区域附近的所述铜/镍/锡合金。